品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:800mV@850μA
栅极电荷:125nC@4.5V
连续漏极电流:10A
类型:1个P沟道
导通电阻:8.75mΩ@4.5V,14A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:800mV@850μA
栅极电荷:125nC@4.5V
连续漏极电流:10A
类型:1个P沟道
导通电阻:8.75mΩ@4.5V,14A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:900mV@600μA
栅极电荷:175nC@5V
连续漏极电流:10A
类型:1个P沟道
导通电阻:7.5mΩ@4.5V,14A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
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功率:1.5W
阈值电压:800mV@850μA
栅极电荷:125nC@4.5V
连续漏极电流:10A
类型:1个P沟道
导通电阻:8.75mΩ@4.5V,14A
漏源电压:20V
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导通电阻:7.5mΩ@4.5V,14A
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阈值电压:800mV@850μA
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连续漏极电流:10A
类型:1个P沟道
导通电阻:8.75mΩ@4.5V,14A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
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工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:800mV@850μA
栅极电荷:125nC@4.5V
连续漏极电流:10A
类型:1个P沟道
导通电阻:8.75mΩ@4.5V,14A
漏源电压:20V
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