品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2369BDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W€2.5W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:19.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:745pF@15V
连续漏极电流:5.6A€7.5A
类型:P沟道
导通电阻:27mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS05DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:65.7W€5W
阈值电压:2.2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.93nF@15V
连续漏极电流:108A€29.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:3.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1021R-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:250mW
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:1.7nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23pF@25V
连续漏极电流:190mA
类型:1个P沟道
导通电阻:4Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
栅极电荷:168nC@8V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
输入电容:5.875nF@10V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
功率:1.5W€2.2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
栅极电荷:168nC@8V
工作温度:-55℃~+150℃
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
输入电容:5.875nF@10V
ECCN:EAR99
类型:1个P沟道
功率:1.5W€2.2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3437DV-T1-E3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€3.2W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:510pF@50V
连续漏极电流:1.4A
类型:1个P沟道
导通电阻:750mΩ@1.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2393DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W€2.5W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:25.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:980pF@15V
连续漏极电流:6.1A€7.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:22.7mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2343CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:5.9A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@10V,4.2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI9640GPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.2nF@25V
连续漏极电流:6.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:500mΩ@3.7A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2343CDS-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.25W€2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:5.9A
类型:1个P沟道
导通电阻:45mΩ@10V,4.2A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2333
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9024TRPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:280mΩ@5.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI6423ADQ-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W€2.2W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:168nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.875nF@10V
连续漏极电流:12.5A€10.3A
类型:1个P沟道
导通电阻:9.8mΩ@10A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9120PBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:管件
输入电容:390pF@25V
连续漏极电流:5.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9220TRPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@25V
连续漏极电流:3.6A
类型:1个P沟道
导通电阻:1.5Ω@10V,2.2A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9640SPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3W€125W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.2nF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
导通电阻:500mΩ@6.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z30PBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:74W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:管件
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个P沟道
导通电阻:140mΩ@10V,9.3A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:2333
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9024TRPBF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€42W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:8.8A
类型:1个P沟道
导通电阻:280mΩ@5.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2393DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.3W€2.5W
阈值电压:2.2V@250μA
栅极电荷:25.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:980pF@15V
连续漏极电流:6.1A€7.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:22.7mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: