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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP5N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：16.5nC@10V
输入电容：321pF@100V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.35Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD5N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V
栅极电荷：11nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：4.4A
类型：MOSFET
导通电阻：1.35Ω
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIHB5N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：16.5nC@10V
输入电容：321pF@100V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.35Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIHB5N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：16.5nC@10V
输入电容：321pF@100V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.35Ω@1.5A，10V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIHP5N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：16.5nC@10V
输入电容：321pF@100V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.35Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIHB5N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：16.5nC@10V
输入电容：321pF@100V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.35Ω@1.5A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
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规格型号(MPN)：SIHD5N80AE-GE3
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功率：62.5W
阈值电压：4V
栅极电荷：11nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：4.4A
类型：MOSFET
导通电阻：1.35Ω
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
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规格型号(MPN)：SIHD5N80AE-GE3
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功率：62.5W
阈值电压：4V
栅极电荷：11nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：4.4A
类型：MOSFET
导通电阻：1.35Ω
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规格型号(MPN)：SIHP5N80AE-GE3
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功率：62.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：16.5nC@10V
输入电容：321pF@100V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.35Ω@1.5A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：SIHD5N80AE-GE3
导通电阻：1.35Ω
功率：62.5W
阈值电压：4V
包装方式：Tube
栅极电荷：11nC
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：4.4A
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类型：MOSFET
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：SIHD5N80AE-GE3
导通电阻：1.35Ω
功率：62.5W
阈值电压：4V
包装方式：Tube
栅极电荷：11nC
工作温度：-55℃~+150℃
连续漏极电流：4.4A
漏源电压：800V
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SIHP5N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：16.5nC@10V
输入电容：321pF@100V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.35Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP5N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：16.5nC@10V
输入电容：321pF@100V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.35Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB5N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：16.5nC@10V
输入电容：321pF@100V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.35Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB5N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：16.5nC@10V
输入电容：321pF@100V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.35Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP5N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：16.5nC@10V
输入电容：321pF@100V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.35Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP5N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：16.5nC@10V
输入电容：321pF@100V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.35Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHU5N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V
栅极电荷：11nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：4.4A
类型：MOSFET
导通电阻：1.35Ω
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP5N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：16.5nC@10V
输入电容：321pF@100V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.35Ω@1.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHD5N80AE-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：62.5W
阈值电压：4V
栅极电荷：11nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：4.4A
类型：MOSFET
导通电阻：1.35Ω
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP5N80AE-GE3
阈值电压：4V@250μA
输入电容：321pF@100V
功率：62.5W
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
导通电阻：1.35Ω@1.5A，10V
连续漏极电流：4.4A
漏源电压：800V
栅极电荷：16.5nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
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