品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:2个N沟道
导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFL110TR-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.5A
类型:MOSFET
导通电阻:540mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFL110TR-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.5A
类型:MOSFET
导通电阻:540mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:2个N沟道
导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:2个N沟道
导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFL110TR-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.5A
类型:MOSFET
导通电阻:540mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFL110TR-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.5A
类型:MOSFET
导通电阻:540mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):2500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHFL110TR-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:2V
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.5A
类型:MOSFET
导通电阻:540mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:2个N沟道
导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:33nC@10V
输入电容:1.2nF@10V
连续漏极电流:8A
类型:2个N沟道
导通电阻:18mΩ@4.5V,8.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:2个N沟道
导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:660pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:19.5mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:2个N沟道
导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:2个N沟道
导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:2个N沟道
导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:2个N沟道
导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:2个N沟道
导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:33nC@10V
输入电容:1.2nF@10V
连续漏极电流:8A
类型:2个N沟道
导通电阻:18mΩ@4.5V,8.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:2个N沟道
导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
输入电容:665pF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:5.3A
功率:3.1W
栅极电荷:20nC@10V
导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250μA
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
输入电容:665pF@15V
工作温度:-55℃~+150℃
连续漏极电流:5.3A
功率:3.1W
栅极电荷:20nC@10V
导通电阻:72mΩ@4.5V,3.9A
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250μA
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
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