包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR5802EP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：153A

类型：MOSFET

导通电阻：2.9mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM40012EL-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：195nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10.93nF@20V

连续漏极电流：150A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.67mΩ@30A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR5802EP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：153A

类型：MOSFET

导通电阻：2.9mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR5802EP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：153A

类型：MOSFET

导通电阻：2.9mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM40012EL-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：195nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10.93nF@20V

连续漏极电流：150A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.67mΩ@30A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM40012EL-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：195nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10.93nF@20V

连续漏极电流：150A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.67mΩ@30A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR500EP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：2.2V

栅极电荷：54.3nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：421A

类型：MOSFET

导通电阻：470μΩ

漏源电压：30V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR5802EP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：153A

类型：MOSFET

导通电阻：2.9mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR5802EP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：153A

类型：MOSFET

导通电阻：2.9mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR5802EP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：153A

类型：MOSFET

导通电阻：2.9mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQM40020EL_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：1.7V

ECCN：EAR99

栅极电荷：108nC

包装方式：卷带（TR）

连续漏极电流：100A

类型：MOSFET

导通电阻：17.8mΩ

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR5802EP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：153A

类型：MOSFET

导通电阻：2.9mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR5802EP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：153A

类型：MOSFET

导通电阻：2.9mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：3000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SIDR5802EP-T1-RE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：28nC

包装方式：Reel

连续漏极电流：153A

类型：MOSFET

导通电阻：2.9mΩ

漏源电压：80V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

包装规格(MPQ)：3000psc

规格型号(MPN)：SIDR5802EP-T1-RE3

阈值电压：4V

包装方式：Reel

漏源电压：80V

功率：150W

导通电阻：2.9mΩ

工作温度：-55℃~+175℃

连续漏极电流：153A

栅极电荷：28nC

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM40012EL-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：195nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10.93nF@20V

连续漏极电流：150A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.67mΩ@30A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM40012EL-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：195nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10.93nF@20V

连续漏极电流：150A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.67mΩ@30A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM40012EL-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：195nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10.93nF@20V

连续漏极电流：150A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.67mΩ@30A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SQM40P10-40L_GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：2.5V@250μA

栅极电荷：134nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：5.295nF@25V

连续漏极电流：40A

类型：1个P沟道

导通电阻：40mΩ@17A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：72nC@10V

输入电容：1.7nF@25V

连续漏极电流：28A

类型：1个N沟道

导通电阻：77mΩ@11A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：72nC@10V

输入电容：1.7nF@25V

连续漏极电流：28A

类型：1个N沟道

导通电阻：77mΩ@11A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM40012EL-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：195nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10.93nF@20V

连续漏极电流：150A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.67mΩ@30A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：72nC@10V

输入电容：1.7nF@25V

连续漏极电流：28A

类型：1个N沟道

导通电阻：77mΩ@11A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：72nC@10V

输入电容：1.7nF@25V

连续漏极电流：28A

类型：1个N沟道

导通电阻：77mΩ@11A，10V

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFZ44RPBF-BE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：67nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：50A

类型：MOSFET

导通电阻：28mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFZ44RPBF-BE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：67nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：50A

类型：MOSFET

导通电阻：28mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：2.5V@250μA

栅极电荷：155nC@10V

输入电容：6.12nF@25V

连续漏极电流：50A

类型：1个P沟道

导通电阻：15mΩ@17A，10V

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V@250μA

栅极电荷：61nC@10V

输入电容：1.4nF@25V

连续漏极电流：19A

类型：1个P沟道

导通电阻：200mΩ@10V，11A

漏源电压：100V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：800psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：SUM40012EL-GE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：2.5V@250μA

ECCN：EAR99

栅极电荷：195nC@10V

包装方式：卷带（TR）

输入电容：10.93nF@20V

连续漏极电流：150A

类型：1个N沟道

导通电阻：1.67mΩ@30A，10V

漏源电压：40V

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：1000psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：IRFZ44RPBF-BE3

工作温度：-55℃~+175℃

功率：150W

阈值电压：4V

ECCN：EAR99

栅极电荷：67nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：50A

类型：MOSFET

导通电阻：28mΩ

漏源电压：60V

包装清单：商品主体 * 1