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    品牌: VISHAY
    工作温度: -55℃~+175℃
    功率: 150W
    当前匹配商品:30+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR5802EP-T1-RE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR5802EP-T1-RE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR5802EP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:153A

    类型:MOSFET

    导通电阻:2.9mΩ

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM40012EL-GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10.93nF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.67mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR5802EP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR5802EP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR5802EP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:153A

    类型:MOSFET

    导通电阻:2.9mΩ

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR5802EP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR5802EP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR5802EP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V

    栅极电荷:28nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:153A

    类型:MOSFET

    导通电阻:2.9mΩ

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM40012EL-GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10.93nF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.67mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM40012EL-GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10.93nF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.67mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR500EP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR500EP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR500EP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.2V

    栅极电荷:54.3nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:421A

    类型:MOSFET

    导通电阻:470μΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR5802EP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR5802EP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR5802EP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:153A

    类型:MOSFET

    导通电阻:2.9mΩ

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR5802EP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR5802EP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR5802EP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:153A

    类型:MOSFET

    导通电阻:2.9mΩ

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR5802EP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR5802EP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR5802EP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:153A

    类型:MOSFET

    导通电阻:2.9mΩ

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40020EL_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40020EL_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM40020EL_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:1.7V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:100A

    类型:MOSFET

    导通电阻:17.8mΩ

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR5802EP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR5802EP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR5802EP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V

    栅极电荷:28nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:153A

    类型:MOSFET

    导通电阻:2.9mΩ

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR5802EP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR5802EP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR5802EP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:153A

    类型:MOSFET

    导通电阻:2.9mΩ

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR5802EP-T1-RE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR5802EP-T1-RE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR5802EP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:153A

    类型:MOSFET

    导通电阻:2.9mΩ

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR5802EP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR5802EP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):3000psc

    规格型号(MPN):SIDR5802EP-T1-RE3

    阈值电压:4V

    包装方式:Reel

    漏源电压:80V

    功率:150W

    导通电阻:2.9mΩ

    工作温度:-55℃~+175℃

    连续漏极电流:153A

    栅极电荷:28nC

    类型:MOSFET

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订800个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订800个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM40012EL-GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10.93nF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.67mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM40012EL-GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10.93nF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.67mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM40012EL-GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10.93nF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.67mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40P10-40L_GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM40P10-40L_GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM40P10-40L_GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:134nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5.295nF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:40mΩ@17A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF540PBF-BE3 起订数50个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF540PBF-BE3 起订数50个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:72nC@10V

    输入电容:1.7nF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:77mΩ@11A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF540PBF-BE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF540PBF-BE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:72nC@10V

    输入电容:1.7nF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:77mΩ@11A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订1600个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订1600个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM40012EL-GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10.93nF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.67mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF540PBF-BE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF540PBF-BE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:72nC@10V

    输入电容:1.7nF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:77mΩ@11A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF540PBF-BE3 起订数25个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF540PBF-BE3 起订数25个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:72nC@10V

    输入电容:1.7nF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:77mΩ@11A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ44RPBF-BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ44RPBF-BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ44RPBF-BE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:67nC

    包装方式:Tube

    连续漏极电流:50A

    类型:MOSFET

    导通电阻:28mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ44RPBF-BE3 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ44RPBF-BE3 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ44RPBF-BE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:67nC

    包装方式:Tube

    连续漏极电流:50A

    类型:MOSFET

    导通电阻:28mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50P06-15L_GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50P06-15L_GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:155nC@10V

    输入电容:6.12nF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:15mΩ@17A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9540PBF 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9540PBF 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:61nC@10V

    输入电容:1.4nF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:200mΩ@10V,11A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订2400个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM40012EL-GE3 起订2400个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM40012EL-GE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10.93nF@20V

    连续漏极电流:150A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.67mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ44RPBF-BE3 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ44RPBF-BE3 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ44RPBF-BE3

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:67nC

    包装方式:Tube

    连续漏极电流:50A

    类型:MOSFET

    导通电阻:28mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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