品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM2006-6/TR
功率:1.45W
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:3A
类型:1个P沟道
导通电阻:120mΩ@4.5V,2.8A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM3407-3/TR
功率:1W
阈值电压:3V@250μA
连续漏极电流:3.7A
类型:1个P沟道
导通电阻:46mΩ@10V,4.4A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM2024-3/TR
功率:600mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:36mΩ@4.5V,3.6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM2021FL-3/TR
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM7002-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:830mW
阈值电压:1.4V@250μA
栅极电荷:260pC@4.5V
输入电容:14.4pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:0.27pF@25V
导通电阻:3.7Ω@10V,300mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM2020-3/TR
功率:320mW
阈值电压:850mV@250μA
连续漏极电流:830mA
类型:1个N沟道
导通电阻:310mΩ@4.5V,550mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM2024-3/TR
功率:600mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:36mΩ@4.5V,3.6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM01N10-3/TR
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM2341-3/TR
功率:750mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:61mΩ@4.5V,3.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM1480-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:600mV@250μA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:1个P沟道
反向传输电容:51pF@10V
导通电阻:110mΩ@4.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM2030-3/TR
功率:370mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:880mA
类型:1个N沟道
导通电阻:310mΩ@4.5V,550mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM2065A-6/TR
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM2046C-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:270mW
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:1.07nC@4.5V
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:550mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:5pF@10V
导通电阻:420mΩ@4.5V,350mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM3038-8/TR
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM3401-3/TR
功率:1.3W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:24.8nC@10V
输入电容:1.25nF@15V
连续漏极电流:4.6A
类型:1个P沟道
反向传输电容:90pF@15V
导通电阻:38mΩ@10V,4.3A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM2087-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:750mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:1.182nF@10V
连续漏极电流:3.6A
类型:1个P沟道
反向传输电容:108pF@10V
导通电阻:34mΩ@4.5V,5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPMD2075-6/TR
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM2021-3/TR
功率:310mW
阈值电压:850mV@250μA
连续漏极电流:820mA
类型:1个N沟道
导通电阻:310mΩ@4.5V,550mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM2046-3/TR
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM3060-6/TR
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM2024-3/TR
功率:600mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:36mΩ@4.5V,3.6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNMD2167-6/TR
功率:900mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:5.7A
类型:2个N沟道
导通电阻:21mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM6006-8/TR
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNMD2162-8/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:18.9nC@4.5V
输入电容:1.371nF@10V
连续漏极电流:4.8A
类型:2个N沟道
反向传输电容:172pF@10V
导通电阻:14mΩ@4.5V,4.8A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM3027-3/TR
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM2046E-3/TR
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM2087-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:750mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:1.182nF@10V
连续漏极电流:3.6A
类型:1个P沟道
反向传输电容:108pF@10V
导通电阻:34mΩ@4.5V,5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM2026-3/TR
功率:600mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:2.9A
类型:1个P沟道
导通电阻:65mΩ@4.5V,3.2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM3012-3/TR
功率:800mW
阈值电压:1.9V@250μA
栅极电荷:1.55nC@10V
输入电容:654pF@20V
连续漏极电流:2.9A
类型:1个P沟道
反向传输电容:56pF@20V
导通电阻:58mΩ@10V,3.1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM2024-3/TR
功率:600mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:36mΩ@4.5V,3.6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: