品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNMD2154-6/TR
功率:300mW
阈值电压:580mV@250μA
栅极电荷:1.15nC@4.5V
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:7.5pF@10V
导通电阻:220mΩ@4.5V,550mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM4153-3/TR
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:800mA
类型:1个N沟道
导通电阻:310mΩ@4.5V,550mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM4153-3/TR
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:800mA
类型:1个N沟道
导通电阻:310mΩ@4.5V,550mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM4153-3/TR
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:800mA
类型:1个N沟道
导通电阻:310mΩ@4.5V,550mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM4153-3/TR
功率:300mW
类型:1个N沟道
导通电阻:310mΩ@4.5V,550mA
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
连续漏极电流:800mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM4153-3/TR
功率:300mW
类型:1个N沟道
导通电阻:310mΩ@4.5V,550mA
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
连续漏极电流:800mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM4153-3/TR
功率:300mW
类型:1个N沟道
导通电阻:310mΩ@4.5V,550mA
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
连续漏极电流:800mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPT2N32-6/TR
功率:1.1W
阈值电压:860mV@250μA
连续漏极电流:800mA
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@4.5V,550mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPT2N32-6/TR
功率:1.1W
阈值电压:860mV@250μA
连续漏极电流:800mA
类型:1个N沟道
导通电阻:600mΩ@4.5V,550mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: