品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM2006-6/TR
功率:1.45W
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:3A
类型:1个P沟道
导通电阻:120mΩ@4.5V,2.8A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM2024-3/TR
功率:600mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:36mΩ@4.5V,3.6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM2020-3/TR
功率:320mW
阈值电压:850mV@250μA
连续漏极电流:830mA
类型:1个N沟道
导通电阻:310mΩ@4.5V,550mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM2024-3/TR
功率:600mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:36mΩ@4.5V,3.6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM2341-3/TR
功率:750mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:61mΩ@4.5V,3.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM1480-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:600mV@250μA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:1个P沟道
反向传输电容:51pF@10V
导通电阻:110mΩ@4.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM2030-3/TR
功率:370mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:880mA
类型:1个N沟道
导通电阻:310mΩ@4.5V,550mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM2046C-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:270mW
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:1.07nC@4.5V
输入电容:30pF@10V
连续漏极电流:550mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:5pF@10V
导通电阻:420mΩ@4.5V,350mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM2087-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:750mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:1.182nF@10V
连续漏极电流:3.6A
类型:1个P沟道
反向传输电容:108pF@10V
导通电阻:34mΩ@4.5V,5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM2021-3/TR
功率:310mW
阈值电压:850mV@250μA
连续漏极电流:820mA
类型:1个N沟道
导通电阻:310mΩ@4.5V,550mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM2024-3/TR
功率:600mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:36mΩ@4.5V,3.6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNMD2167-6/TR
功率:900mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:5.7A
类型:2个N沟道
导通电阻:21mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNMD2162-8/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:18.9nC@4.5V
输入电容:1.371nF@10V
连续漏极电流:4.8A
类型:2个N沟道
反向传输电容:172pF@10V
导通电阻:14mΩ@4.5V,4.8A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM2087-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:750mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:1.182nF@10V
连续漏极电流:3.6A
类型:1个P沟道
反向传输电容:108pF@10V
导通电阻:34mΩ@4.5V,5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM2026-3/TR
功率:600mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:2.9A
类型:1个P沟道
导通电阻:65mΩ@4.5V,3.2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM2024-3/TR
功率:600mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:36mΩ@4.5V,3.6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM2024-3/TR
功率:600mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:3.3A
类型:1个N沟道
导通电阻:36mΩ@4.5V,3.6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM1480-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:290mW
阈值电压:600mV@250μA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
输入电容:480pF@10V
连续漏极电流:1.4A
类型:1个P沟道
反向传输电容:51pF@10V
导通电阻:110mΩ@4.5V,1A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNMD2176-6/TR
功率:900mW
阈值电压:780mV@250μA
栅极电荷:3.1nC@4.5V
输入电容:190pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:2个N沟道
反向传输电容:36pF@10V
导通电阻:55mΩ@4.5V,2.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM2006-6/TR
功率:1.45W
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:3A
类型:1个P沟道
导通电阻:120mΩ@4.5V,2.8A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNMD2167-6/TR
功率:900mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:5.7A
类型:2个N沟道
导通电阻:21mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM2019-3/TR
功率:220mW
阈值电压:900mV@250μA
连续漏极电流:550mA
类型:1个P沟道
导通电阻:810mΩ@4.5V,450mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM2016-3/TR
功率:700mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:2.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@4.5V,3.6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNMD2167-6/TR
功率:900mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:5.7A
类型:2个N沟道
导通电阻:21mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM2020-3/TR
功率:320mW
阈值电压:850mV@250μA
连续漏极电流:830mA
类型:1个N沟道
导通电阻:310mΩ@4.5V,550mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM2037-6/TR
功率:800mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:3.1A
类型:1个P沟道
导通电阻:61mΩ@4.5V,3.2A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNMD2154-6/TR
功率:300mW
阈值电压:580mV@250μA
栅极电荷:1.15nC@4.5V
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:7.5pF@10V
导通电阻:220mΩ@4.5V,550mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM4153-3/TR
功率:300mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:800mA
类型:1个N沟道
导通电阻:310mΩ@4.5V,550mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM2341-3/TR
功率:750mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:61mΩ@4.5V,3.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM2016-3/TR
功率:700mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:2.9A
类型:1个N沟道
导通电阻:47mΩ@4.5V,3.6A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: