品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNMD2167-6/TR
功率:900mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:5.7A
类型:2个N沟道
导通电阻:21mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNMD2162-8/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1W
阈值电压:700mV@250μA
栅极电荷:18.9nC@4.5V
输入电容:1.371nF@10V
连续漏极电流:4.8A
类型:2个N沟道
反向传输电容:172pF@10V
导通电阻:14mΩ@4.5V,4.8A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNMD2176-6/TR
功率:900mW
阈值电压:780mV@250μA
栅极电荷:3.1nC@4.5V
输入电容:190pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:2个N沟道
反向传输电容:36pF@10V
导通电阻:55mΩ@4.5V,2.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNMD2167-6/TR
功率:900mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:5.7A
类型:2个N沟道
导通电阻:21mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNMD2167-6/TR
功率:900mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:5.7A
类型:2个N沟道
导通电阻:21mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNMD2154-6/TR
功率:300mW
阈值电压:580mV@250μA
栅极电荷:1.15nC@4.5V
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2个N沟道
反向传输电容:7.5pF@10V
导通电阻:220mΩ@4.5V,550mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNMD2167-6/TR
功率:900mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:5.7A
类型:2个N沟道
导通电阻:21mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNMD2153-6/TR
功率:310mW
阈值电压:850mV@250μA
连续漏极电流:810mA
类型:2个N沟道
导通电阻:310mΩ@4.5V,550mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNMD2167-6/TR
导通电阻:21mΩ@4.5V,6.3A
连续漏极电流:5.7A
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
功率:900mW
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存: