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品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM1480-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：600mV@250μA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：51pF@10V
导通电阻：110mΩ@4.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM2087-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：750mV@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：1.182nF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
反向传输电容：108pF@10V
导通电阻：34mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM2087-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：750mV@250μA
栅极电荷：12nC@4.5V
输入电容：1.182nF@10V
连续漏极电流：3.6A
类型：1个P沟道
反向传输电容：108pF@10V
导通电阻：34mΩ@4.5V，5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM1480-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：600mV@250μA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：51pF@10V
导通电阻：110mΩ@4.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：WPM1480-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：600mV@250μA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：51pF@10V
导通电阻：110mΩ@4.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM1480-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：600mV@250μA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：51pF@10V
导通电阻：110mΩ@4.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3021-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：2.106nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
反向传输电容：274pF@15V
导通电阻：11mΩ@10V，13A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3021-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：2.106nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
反向传输电容：274pF@15V
导通电阻：11mΩ@10V，13A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM1480-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：600mV@250μA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：51pF@10V
导通电阻：110mΩ@4.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3021-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：2.106nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
反向传输电容：274pF@15V
导通电阻：11mΩ@10V，13A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM1480-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：290mW
阈值电压：600mV@250μA
栅极电荷：6.5nC@4.5V
输入电容：480pF@10V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个P沟道
反向传输电容：51pF@10V
导通电阻：110mΩ@4.5V，1A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3021-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：2.106nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
反向传输电容：274pF@15V
导通电阻：11mΩ@10V，13A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM3021-8/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：38nC@10V
输入电容：2.106nF@15V
连续漏极电流：13A
类型：1个P沟道
反向传输电容：274pF@15V
导通电阻：11mΩ@10V，13A
漏源电压：30V
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