包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M0080120D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：4V

栅极电荷：71nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：31.6A

类型：MOSFET

导通电阻：98mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M0080120D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：4V

栅极电荷：71nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：31.6A

类型：MOSFET

导通电阻：98mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M0025120D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：463W

阈值电压：2.4V@10mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：161nC@20V

包装方式：管件

输入电容：2.788nF@1000V

连续漏极电流：90A

类型：1个N沟道

导通电阻：34mΩ@50A，20V

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M1000170D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：69W

阈值电压：4V

栅极电荷：13nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：4.9A

类型：MOSFET

导通电阻：1.4Ω

漏源电压：1.7kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M0080120D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：4V

栅极电荷：71nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：31.6A

类型：MOSFET

导通电阻：98mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M0080120D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：4V

栅极电荷：71nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：31.6A

类型：MOSFET

导通电阻：98mΩ

漏源电压：1.2kV

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销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M0025120D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：463W

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包装方式：管件

输入电容：2.788nF@1000V

连续漏极电流：90A

类型：1个N沟道

导通电阻：34mΩ@50A，20V

漏源电压：1.2kV

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销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M0080120D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

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连续漏极电流：31.6A

类型：MOSFET

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销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M0080120D

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功率：208W

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类型：MOSFET

导通电阻：98mΩ

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销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M1000170D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：69W

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连续漏极电流：4.9A

类型：MOSFET

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规格型号(MPN)：C2M0080120D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

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类型：MOSFET

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规格型号(MPN)：C2M0080120D

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功率：208W

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连续漏极电流：31.6A

类型：MOSFET

导通电阻：98mΩ

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规格型号(MPN)：C2M0080120D

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功率：208W

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连续漏极电流：31.6A

类型：MOSFET

导通电阻：98mΩ

漏源电压：1.2kV

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销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M1000170D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：69W

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连续漏极电流：4.9A

类型：MOSFET

导通电阻：1.4Ω

漏源电压：1.7kV

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销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M0080120D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：4V

栅极电荷：71nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：31.6A

类型：MOSFET

导通电阻：98mΩ

漏源电压：1.2kV

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销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M0025120D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：463W

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包装方式：管件

输入电容：2.788nF@1000V

连续漏极电流：90A

类型：1个N沟道

导通电阻：34mΩ@50A，20V

漏源电压：1.2kV

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销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M1000170D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：69W

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连续漏极电流：4.9A

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规格型号(MPN)：C2M1000170D

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功率：69W

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连续漏极电流：4.9A

类型：MOSFET

导通电阻：1.4Ω

漏源电压：1.7kV

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销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M0080120D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：208W

阈值电压：4V

栅极电荷：71nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：31.6A

类型：MOSFET

导通电阻：98mΩ

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：30psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M1000170D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：69W

阈值电压：4V

栅极电荷：13nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：4.9A

类型：MOSFET

导通电阻：1.4Ω

漏源电压：1.7kV

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销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M0025120D

输入电容：2.788nF@1000V

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功率：463W

包装方式：管件

工作温度：-55℃~+150℃

栅极电荷：161nC@20V

漏源电压：1.2kV

ECCN：EAR99

包装清单：商品主体 * 1

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销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M1000170D

功率：69W

阈值电压：4V

栅极电荷：13nC

连续漏极电流：4.9A

包装方式：Tube

漏源电压：1.7kV

工作温度：-55℃~+150℃

导通电阻：1.4Ω

类型：MOSFET

包装清单：商品主体 * 1

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销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M0025120D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：463W

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包装方式：管件

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类型：1个N沟道

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漏源电压：1.2kV

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规格型号(MPN)：C2M0025120D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：463W

阈值电压：2.4V@10mA

ECCN：EAR99

栅极电荷：161nC@20V

包装方式：管件

输入电容：2.788nF@1000V

连续漏极电流：90A

类型：1个N沟道

导通电阻：34mΩ@50A，20V

漏源电压：1.2kV

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规格型号(MPN)：C2M0025120D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：463W

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包装方式：管件

输入电容：2.788nF@1000V

连续漏极电流：90A

类型：1个N沟道

导通电阻：34mΩ@50A，20V

漏源电压：1.2kV

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规格型号(MPN)：C2M0025120D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：463W

阈值电压：2.4V@10mA

栅极电荷：161nC@20V

包装方式：管件

输入电容：2.788nF@1000V

连续漏极电流：90A

类型：1个N沟道

导通电阻：34mΩ@50A，20V

漏源电压：1.2kV

包装清单：商品主体 * 1

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销售单位：个

规格型号(MPN)：C2M1000170D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：69W

阈值电压：4V

栅极电荷：13nC

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连续漏极电流：4.9A

类型：MOSFET

导通电阻：1.4Ω

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规格型号(MPN)：C2M1000170D

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功率：69W

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规格型号(MPN)：C2M1000170D

工作温度：-55℃~+150℃

功率：69W

阈值电压：4V

栅极电荷：13nC

包装方式：Tube

连续漏极电流：4.9A

类型：MOSFET

导通电阻：1.4Ω

漏源电压：1.7kV

包装清单：商品主体 * 1