销售单位：个

规格型号(MPN)：TPS28225DR

上升时间：10ns

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4.5V~8.8V

峰值灌电流：2A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27282QDRCRQ1

上升时间：12ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.5A

电源电压：5.5V~16V

峰值灌电流：2.5A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TPS51601ADRBR

上升时间：15ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~105℃

负载类型：N沟道MOSFET

电源电压：4.5V~5.5V

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27624DR

上升时间：6ns

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：4.5V~26V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27624QDGNRQ1

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：4.5V~26V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27284DRMR

上升时间：10ns

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~+125℃

负载类型：MOSFET

峰值拉电流：3A

电源电压：5.5V~16V

峰值灌电流：3A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27282QDDARQ1

上升时间：12ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.5A

电源电压：5.5V~16V

峰值灌电流：2.5A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27282QDDARQ1

上升时间：12ns

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.5A

电源电压：5.5V~16V

峰值灌电流：2.5A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27282QDRQ1

上升时间：12ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.5A

电源电压：5.5V~16V

峰值灌电流：2.5A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27536DBVT

上升时间：15ns

驱动通道数：1

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.5A

电源电压：10V~32V

峰值灌电流：2.5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TPS28225TDRBRQ1

上升时间：10ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4.5V~8.8V

峰值灌电流：2A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：TPS28226DRBT

上升时间：10ns

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

电源电压：6.8V~8.8V

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27624QDGNRQ1

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：4.5V~26V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27624DR

上升时间：6ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：4.5V~26V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27282QDRCTQ1

上升时间：12ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.5A

电源电压：5.5V~16V

峰值灌电流：2.5A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27536DBVT

上升时间：15ns

驱动通道数：1

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.5A

电源电压：10V~32V

峰值灌电流：2.5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：LM5106MMX/NOPB

上升时间：15ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1.8A

电源电压：8V~14V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27282DR

上升时间：12ns

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.5A

电源电压：5.5V~16V

峰值灌电流：2.5A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27282QDRCRQ1

上升时间：12ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.5A

电源电压：5.5V~16V

峰值灌电流：2.5A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：LM5106MMX/NOPB

上升时间：15ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：1.8A

电源电压：8V~14V

峰值灌电流：1.2A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27282QDDARQ1

上升时间：12ns

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.5A

电源电压：5.5V~16V

峰值灌电流：2.5A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27536DBVT

上升时间：15ns

驱动通道数：1

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.5A

电源电压：10V~32V

峰值灌电流：2.5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27624QDRQ1

上升时间：6ns

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~150℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：5A

电源电压：4.5V~26V

峰值灌电流：5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27712QDRQ1

上升时间：16ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2.8A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.8A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27712DR

上升时间：16ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2.8A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.8A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27712DR

上升时间：16ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET

峰值拉电流：2.8A

电源电压：10V~20V

峰值灌电流：1.8A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

包装规格(MPQ)：250psc

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27536DBVT

上升时间：15ns

驱动通道数：1

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.5A

电源电压：10V~32V

峰值灌电流：2.5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：TPS28225TDRQ1

上升时间：10ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：2A

电源电压：4.5V~8.8V

峰值灌电流：2A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27282QDRQ1

上升时间：12ns

ECCN：EAR99

驱动通道数：2

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~125℃

负载类型：N沟道MOSFET

峰值拉电流：3.5A

电源电压：5.5V~16V

峰值灌电流：2.5A

驱动配置：半桥

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1

销售单位：个

规格型号(MPN)：UCC27536DBVR

上升时间：15ns

驱动通道数：1

下降时间：10ns

工作温度：-40℃~140℃

负载类型：IGBT，N沟道MOSFET

峰值拉电流：2.5A

电源电压：10V~32V

峰值灌电流：2.5A

驱动配置：低端

包装方式：卷带（TR）

包装清单：商品主体 * 1