销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS28225DR
上升时间：10ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~8.8V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27524AQDRQ1
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95491Q5MC
工作温度：-40℃~+125℃
电源电压：4.5V~5.5V
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27325DR
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~15V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95490Q5MCT
上升时间：击穿
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~125°C（TJ）
负载类型：电感，电容性
峰值拉电流：105A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：75A
特性：自举电路
驱动配置：半桥（3）
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG5200MOFT
ECCN：EAR99
工作温度：-40℃~+125℃
负载类型：MOSFET
电源电压：4.75V~5.25V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM5110-2MX/NOPB
上升时间：14ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：12ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：3.5V~14V
峰值灌电流：3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM5109BQNGTRQ1
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：1A
电源电压：8V~14V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM5060MMX/NOPB
驱动通道数：1
工作温度：-40℃~+125℃
负载类型：MOSFET
峰值拉电流：24μA
电源电压：5.5V~65V
峰值灌电流：2.2mA
驱动配置：高边
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95485RWJT
工作温度：-40℃~+125℃
负载类型：MOSFET
电源电压：4.5V~5.5V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27511DBVR
上升时间：8ns
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：8A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM5134ASDX/NOPB
上升时间：3ns
驱动通道数：1
下降时间：2ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：7.6A
电源电压：4V~12.6V
峰值灌电流：4.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27282QDRCRQ1
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.5A
电源电压：5.5V~16V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95372AQ5M
上升时间：超温，击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：90A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：60A
特性：自举电路，状态标志
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM5114BSD/NOPB
上升时间：82ns
驱动通道数：1
下降时间：12.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：7.6A
电源电压：4V~12.6V
峰值灌电流：1.3A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27714DR
上升时间：15ns
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：10V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8304HRHAR
上升时间：300ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：3
下降时间：150ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：300mA
电源电压：6V~38V
峰值灌电流：150mA
驱动配置：高压侧或低压侧
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：LMG1205YFXR
上升时间：7ns
驱动通道数：2
下降时间：3.5ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：1.2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27517AQDBVRQ1
上升时间：8ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：7ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：LM25101ASD/NOPB
上升时间：430ns
驱动通道数：2
下降时间：260ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95472Q5MCT
ECCN：EAR99
工作温度：-55℃~+150℃
电源电压：4.5V~5.5V
特性：过流保护(OCP)；过热保护(OPT)
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：DRV8714SQRVJRQ1
ECCN：EAR99
工作温度：-40℃~+150℃
负载类型：MOSFET
电源电压：3.3V~5.5V
特性：过流保护(OCP)；过压保护(OVP)
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCT8315A1VRGFR
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD95379Q3MT
上升时间：击穿，UVLO
ECCN：EAR99
下降时间：功率 MOSFET
工作温度：-40°C~150°C（TJ）
负载类型：电感
峰值拉电流：45A
电源电压：4.5V~5.5V
峰值灌电流：20A
特性：自举电路，二极管仿真
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27323DGNR
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~15V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC37324DR
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：15ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.5V~15V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27526DSDR
上升时间：7ns
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD97370Q5M
工作温度：-40℃~+150℃
电源电压：4.5V~5.5V
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS51601ADRBR
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~105℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：4.5V~5.5V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27524DSDT
上升时间：7ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：6ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~18V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
