销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS28225DR
上升时间：10ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~8.8V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IR1167ASTRPBF
上升时间：18ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：10ns
工作温度：-25℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：7A
电源电压：12V~18V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FAN3181TMX
上升时间：15ns
驱动通道数：1
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT
峰值拉电流：2A
电源电压：25V
峰值灌电流：1.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2100IBZT7A
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27282QDRCRQ1
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.5A
电源电压：5.5V~16V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS51601ADRBR
上升时间：15ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~105℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：4.5V~5.5V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27624DR
上升时间：6ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~26V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
生产批次：{"03+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP3418APDR2
上升时间：18ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：0℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：4.6V~13.2V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCD57252DWR2G
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~+125℃
峰值拉电流：6.5A
峰值灌电流：6.5A
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27624QDGNRQ1
上升时间：6ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~26V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27282QDDARQ1
上升时间：12ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.5A
电源电压：5.5V~16V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2100IBZT
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS28226DR
上升时间：10ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
电源电压：6.8V~8.8V
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC44F20YML-TR
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：4.5V~13.2V
峰值灌电流：6A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCD7100PWPR
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~105℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：4A
电源电压：4.25V~15V
峰值灌电流：4A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27712QDRQ1
上升时间：16ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：IGBT，N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2.8A
电源电压：10V~20V
峰值灌电流：1.8A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC44F20YMME-TR
上升时间：10ns
驱动通道数：1
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：4.5V~13.2V
峰值灌电流：6A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27624DGNR
上升时间：6ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：5A
电源电压：4.5V~26V
峰值灌电流：5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27284DRMR
上升时间：10ns
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~+125℃
负载类型：MOSFET
峰值拉电流：3A
电源电压：5.5V~16V
峰值灌电流：3A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCP51561BBDWR2G
上升时间：11ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2 Driver
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~+125℃
负载类型：Isolated Gate Drivers
驱动配置：High-Side， Low-Side
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：EL7202CSZ-T7
上升时间：7.5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~15V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27536DBVT
上升时间：15ns
驱动通道数：1
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~140℃
负载类型：IGBT，N沟道MOSFET
峰值拉电流：2.5A
电源电压：10V~32V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：UCC27282QDDARQ1
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：3.5A
电源电压：5.5V~16V
峰值灌电流：2.5A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HIP2100IBZT7A
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-55℃~150℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：9V~14V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：6ED2742S01QXTMA1
上升时间：20ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：6
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：6V~140V
峰值灌电流：1A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：EL7222CSZ-T7
上升时间：7.5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~15V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：RENESAS
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：EL7212CSZ-T7
上升时间：7.5ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道，P沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~15V
峰值灌电流：2A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Microchip
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC44F19YMME-TR
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：1
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：P沟道MOSFET
峰值拉电流：6A
电源电压：4.5V~13.2V
峰值灌电流：6A
驱动配置：低端
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NCD57252DWR2G
上升时间：12ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~+125℃
峰值拉电流：6.5A
峰值灌电流：6.5A
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：TI
分类：门极驱动器
行业应用：其他
是否隔离：隔离
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPS28225TDRQ1
上升时间：10ns
ECCN：EAR99
驱动通道数：2
下降时间：10ns
工作温度：-40℃~125℃
负载类型：N沟道MOSFET
峰值拉电流：2A
电源电压：4.5V~8.8V
峰值灌电流：2A
驱动配置：半桥
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
