品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K3N10H
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K3N10H
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K3N10H
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G2K3N10H
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:434pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86262P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:885pF@75V
连续漏极电流:2A€8.4A
类型:P沟道
导通电阻:307mΩ@2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD08P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@25V
连续漏极电流:8.83A
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@10A,6.2V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS012N10MDTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€62W
阈值电压:4V@78µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:965pF@50V
连续漏极电流:9.2A€45A
类型:N沟道
导通电阻:14.4mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H854NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:4V@45µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:9.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9310TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:270pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:7Ω@1.1A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0906NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€30W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@15V
连续漏极电流:18A€63A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H854NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:4V@45µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:9.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1760,"22+":25000,"23+":2500,"MI+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R360P7SE8228AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:41W
阈值电压:4V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@400V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@2.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPN60R360P7SATMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:7W
阈值电压:4V@140µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@400V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@2.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD08P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@25V
连续漏极电流:8.83A
类型:P沟道
导通电阻:300mΩ@10A,6.2V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD15N06S2L64ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2V@14µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:354pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@13A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD5NM50AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:100W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:415pF@100V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:800mΩ@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0906NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€30W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@15V
连续漏极电流:18A€63A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2500,"MI+":2400}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R1K0CEAUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:61W
阈值电压:3.5V@130µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@100V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@1.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":2345}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ300N15NS5ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4.6V@32µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@75V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@16A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7322ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@50V
连续漏极电流:15.1A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@5.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86242
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@75V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:67mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":5752}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF6665TRPBF
工作温度:-40℃~150℃
功率:2.2W€42W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@25V
连续漏极电流:4.2A
类型:N-Channel
导通电阻:62mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2356DS-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW€1.7W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:370pF@20V
连续漏极电流:4.3A
类型:N-Channel
导通电阻:56mΩ
漏源电压:1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS6H854NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:4V@45µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@40V
连续漏极电流:9.5A€44A
类型:N沟道
导通电阻:14.5mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS3455T1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:480pF@5V
连续漏极电流:2.5A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD60R360P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:41W
阈值电压:4V@140µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@400V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@2.7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2318AES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:555pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:N-Channel
导通电阻:31mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86262P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€40W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:885pF@75V
连续漏极电流:2A€8.4A
类型:P沟道
导通电阻:307mΩ@2A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4496
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:715pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:19.5mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7322ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@50V
连续漏极电流:15.1A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@5.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: