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    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K3N10H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:434pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:1000
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K3N10H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:434pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:100
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K3N10H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:434pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:1000
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H 起订6个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H 起订6个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K3N10H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:434pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:6
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K3N10H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:434pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:6
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K3N10H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:434pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K3N10H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:434pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K3N10H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:434pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月27日前
    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD08P06PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@25V

    连续漏极电流:8.83A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@10A,6.2V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD08P06PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@25V

    连续漏极电流:8.83A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@10A,6.2V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月27日前
    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD08P06PGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@25V

    连续漏极电流:8.83A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@10A,6.2V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月27日前
    - +
    起购:500
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K3N10H

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:2.4W

    连续漏极电流:2A

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:434pF@50V

    导通电阻:220mΩ@2A,10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月28日前
    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD08P06PGBTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD08P06PGBTMA1

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@25V

    连续漏极电流:8.83A

    导通电阻:300mΩ@10A,6.2V

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    类型:P沟道

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月28日前
    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K3N10H

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    功率:2.4W

    连续漏极电流:2A

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:434pF@50V

    导通电阻:220mΩ@2A,10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月28日前
    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0906NSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0906NSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0906NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€30W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870pF@15V

    连续漏极电流:18A€63A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2P40TM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2P40TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD2P40TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:1.56A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.5Ω@780mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS012N10MDTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS012N10MDTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS012N10MDTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€62W

    阈值电压:4V@78µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:965pF@50V

    连续漏极电流:9.2A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:2
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N60NZTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H854NTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H854NTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS6H854NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€68W

    阈值电压:4V@45µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@40V

    连续漏极电流:9.5A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R360P7SE8228AUMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R360P7SE8228AUMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R360P7SE8228AUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:41W

    阈值电压:4V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@400V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H852NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H852NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H852NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€54W

    阈值电压:4V@45µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@40V

    连续漏极电流:10A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9310TRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9310TRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9310TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:7Ω@1.1A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:2000
    加购:2000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0906NSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0906NSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0906NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€30W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870pF@15V

    连续漏极电流:18A€63A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD15N06S2L64ATMA2 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD15N06S2L64ATMA2 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD15N06S2L64ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2V@14µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:354pF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:64mΩ@13A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H852NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS6H852NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS6H852NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€54W

    阈值电压:4V@45µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@40V

    连续漏极电流:10A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STD6N95K5
    ST Mosfet场效应管 STD6N95K5

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD6N95K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.25Ω@3A,10V

    漏源电压:950V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2356DS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:370pF@20V

    连续漏极电流:3.2A€4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:51mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:7
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H854NTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS6H854NTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS6H854NTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€68W

    阈值电压:4V@45µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@40V

    连续漏极电流:9.5A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA7672 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA7672 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA7672

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:5
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R360P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R360P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R360P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:41W

    阈值电压:4V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@400V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月27日前
    - +
    起购:2
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