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    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K3N10H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:434pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H 起订6个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H 起订6个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K3N10H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:434pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K3N10H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:434pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10H

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K3N10H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:434pF@50V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:220mΩ@2A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86262P 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86262P 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86262P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€40W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:885pF@75V

    连续漏极电流:2A€8.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:307mΩ@2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS012N10MDTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTTFS012N10MDTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTFS012N10MDTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€62W

    阈值电压:4V@78µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:965pF@50V

    连续漏极电流:9.2A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9310TRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR9310TRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR9310TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:7Ω@1.1A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    加购:2000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0906NSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0906NSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0906NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€30W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870pF@15V

    连续漏极电流:18A€63A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    ST Mosfet场效应管 STD5NM50AG
    ST Mosfet场效应管 STD5NM50AG

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD5NM50AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:100W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:415pF@100V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:800mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0906NSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0906NSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0906NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€30W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870pF@15V

    连续漏极电流:18A€63A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    加购:5000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ300N15NS5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSZ300N15NS5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":2345}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSZ300N15NS5ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    阈值电压:4.6V@32µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@75V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:30mΩ@16A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7322ADN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7322ADN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7322ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@50V

    连续漏极电流:15.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86242
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86242

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86242

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@75V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:67mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2356DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:370pF@20V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:56mΩ

    漏源电压:1.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3455T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@5V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R360P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R360P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R360P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:41W

    阈值电压:4V@140µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@400V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86262P
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86262P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86262P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€40W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:885pF@75V

    连续漏极电流:2A€8.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:307mΩ@2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    AOS Mosfet场效应管 AO4496
    AOS Mosfet场效应管 AO4496

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4496

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:715pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:19.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7322ADN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7322ADN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7322ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:360pF@50V

    连续漏极电流:15.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3033LDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N-Channel

    导通电阻:33mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R360P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R360P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R360P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:41W

    阈值电压:4V@140µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:555pF@400V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86262P
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC86262P

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC86262P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€40W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:885pF@75V

    连续漏极电流:2A€8.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:307mΩ@2A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    ST Mosfet场效应管 STN3NF06
    ST Mosfet场效应管 STN3NF06

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STN3NF06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:315pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8000
    加购:4000
    MCC Mosfet场效应管 MSJU07N65A-TP
    MCC Mosfet场效应管 MSJU07N65A-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSJU07N65A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:63W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:545pF@25V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0906NSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0906NSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0906NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€30W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870pF@15V

    连续漏极电流:18A€63A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2P40TM
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2P40TM

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD2P40TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:1.56A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.5Ω@780mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2356DS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2356DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW€1.7W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:370pF@20V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:56mΩ

    漏源电压:1.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3455T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@5V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6602SVT-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6602SVT-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6602SVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:840mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:3.4A€2.8A

    类型:N+P-Channel

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:13
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6602SVT-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6602SVT-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6602SVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:840mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:3.4A€2.8A

    类型:N+P-Channel

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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