首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    onsemi Mosfet场效应管 FDP20N50F
    onsemi Mosfet场效应管 FDP20N50F

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP20N50F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3390pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@10A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS10C4D2N
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS10C4D2N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS10C4D2N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@50V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@44A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH50N30Q3
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH50N30Q3

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH50N30Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:690W

    阈值电压:6.5V@4mA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3160pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@25A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT26N50P
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT26N50P

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTT26N50P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400W

    阈值电压:5.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@13A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP70N12S311AKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP70N12S311AKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":14846,"17+":13500,"21+":500,"22+":500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP70N12S311AKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@83µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4355pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.6mΩ@70A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:228
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R5-30YLC,115 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R5-30YLC,115 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R5-30YLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:179W

    阈值电压:1.95V@1mA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4044pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.55mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70N10S312ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70N10S312ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD70N10S312ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@83µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4355pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.1mΩ@70A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:26
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP114N12N3GXKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP114N12N3GXKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP114N12N3GXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:4V@83µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4310pF@60V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.4mΩ@75A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ26N50P
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ26N50P

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTQ26N50P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400W

    阈值电压:5.5V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@13A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N04S6L014ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N04S6L014ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC100N04S6L014ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:2V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3935pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ST Mosfet场效应管 STD120N4F6
    ST Mosfet场效应管 STD120N4F6

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD120N4F6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3850pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH50N30Q3 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH50N30Q3 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH50N30Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:690W

    阈值电压:6.5V@4mA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3160pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@25A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C426NAFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C426NAFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C426NAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€128W

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@25V

    连续漏极电流:41A€235A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR876BDP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR876BDP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR876BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€71.4W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3040pF@50V

    连续漏极电流:13.6A€51.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF27N25
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF27N25

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF27N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:55W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2450pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@7A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":330,"23+":122}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB20N50F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3390pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@10A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C426NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C426NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":6000,"24+":13500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C426NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€128W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@25V

    连续漏极电流:41A€235A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70N12S311ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70N12S311ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD70N12S311ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@83µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4355pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.1mΩ@70A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ANJTL
    ROHM Mosfet场效应管 R6020ANJTL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020ANJTL

    工作温度:150℃

    功率:100W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2040pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@10A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR466DP-T1-GE3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR466DP-T1-GE3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR466DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€54W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2730pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:750
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C426NAFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C426NAFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C426NAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€128W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@25V

    连续漏极电流:41A€235A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4166DY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4166DY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4166DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.5W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2730pF@15V

    连续漏极电流:30.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF27N25
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF27N25

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF27N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:55W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2450pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@7A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD110N12N3GATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD110N12N3GATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"MI+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD110N12N3GATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:3V@83µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4310pF@60V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@75A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C426NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C426NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C426NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€128W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4300pF@25V

    连续漏极电流:41A€235A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS10C4D2N
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS10C4D2N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS10C4D2N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@50V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@44A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70N12S311ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70N12S311ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD70N12S311ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@83µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4355pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.1mΩ@70A,10V

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPH3R206NC,L1XHQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPH3R206NC,L1XHQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XPH3R206NC,L1XHQ

    工作温度:175℃

    功率:960mW€132W

    阈值电压:2.5V@500µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4180pF@10V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N04S6L014ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUC100N04S6L014ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUC100N04S6L014ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:100W

    阈值电压:2V@50µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3935pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS10C4D2N
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS10C4D2N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":683,"20+":1865,"21+":155000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS10C4D2N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@50V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@44A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧