品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C426NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：41A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70N10S312ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@83µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11.1mΩ@70A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA64DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP20N50F
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3390pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF20N50FT
工作温度：-55℃~150℃
功率：38.5W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3390pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：260mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK31V60X，LQ
工作温度：150℃
功率：240W
阈值电压：3.5V@1.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@300V
连续漏极电流：30.8A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@9.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP114N12N3GXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@83µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4310pF@60V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@75A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7938DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N-Channel
导通电阻：5.8mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ44NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：31A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@17A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH3R206NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4180pF@10V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS10C4D2N
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4500pF@50V
连续漏极电流：17A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS52DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：57W€4.8W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.95nF@15V
连续漏极电流：47.1A€162A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP17NK40ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7.5A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4835DDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C426NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：41A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH50N30Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：690W
阈值电压：6.5V@4mA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3160pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@25A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMJS1D3N04CTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€128W
阈值电压：3.5V@170µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4300pF@25V
连续漏极电流：41A€235A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS52DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：57W€4.8W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.95nF@15V
连续漏极电流：47.1A€162A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4835DDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@15V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP17NK40ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@7.5A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC6675BZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€36W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2865pF@15V
连续漏极电流：9.5A€20A
类型：P沟道
导通电阻：14.4mΩ@9.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT26N50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：400W
阈值电压：5.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：230mΩ@13A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7121DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7121DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@15V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：1000，"17+"：1400，"18+"：2080}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHP20NQ20T，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2470pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：14846，"17+"：13500，"21+"：500，"22+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP70N12S311AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@83µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：11.6mΩ@70A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS52DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：57W€4.8W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.95nF@15V
连续漏极电流：47.1A€162A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4166DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6.5W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2730pF@15V
连续漏极电流：30.5A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R5-30YLC，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：179W
阈值电压：1.95V@1mA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4044pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.55mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR466DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€54W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2730pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N-Channel
导通电阻：3.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
