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    onsemi Mosfet场效应管 FDP20N50F
    onsemi Mosfet场效应管 FDP20N50F

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP20N50F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3390pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@10A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7938DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7938DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7938DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N-Channel

    导通电阻:5.8mΩ

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS10C4D2N
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS10C4D2N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS10C4D2N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@50V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@44A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH50N30Q3
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH50N30Q3

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH50N30Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:690W

    阈值电压:6.5V@4mA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3160pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@25A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT26N50P
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT26N50P

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTT26N50P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400W

    阈值电压:5.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@13A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR466DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR466DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR466DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€54W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2730pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N-Channel

    导通电阻:3.5mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ26N50P
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ26N50P

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTQ26N50P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400W

    阈值电压:5.5V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@13A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7938DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7938DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7938DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N-Channel

    导通电阻:5.8mΩ

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH50N30Q3 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH50N30Q3 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH50N30Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:690W

    阈值电压:6.5V@4mA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3160pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@25A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR876BDP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR876BDP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR876BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€71.4W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3040pF@50V

    连续漏极电流:13.6A€51.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF27N25
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF27N25

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF27N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:55W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2450pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@7A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":330,"23+":122}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB20N50F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3390pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@10A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR466DP-T1-GE3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR466DP-T1-GE3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR466DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€54W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2730pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:750
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4166DY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4166DY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4166DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.5W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2730pF@15V

    连续漏极电流:30.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF27N25
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF27N25

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF27N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:55W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2450pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@7A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7938DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7938DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7938DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N-Channel

    导通电阻:5.8mΩ

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    AOS Mosfet场效应管 AON6268
    AOS Mosfet场效应管 AON6268

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6268

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:56W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2520pF@30V

    连续漏极电流:44A

    类型:N-Channel

    导通电阻:4.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS10C4D2N
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS10C4D2N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS10C4D2N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@50V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@44A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7938DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7938DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7938DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N-Channel

    导通电阻:5.8mΩ

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8483DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€13W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469ADP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469ADP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7469ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€73.5W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3420pF@40V

    连续漏极电流:7.4A€46A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR466DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR466DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR466DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€54W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2730pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N-Channel

    导通电阻:3.5mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS10C4D2N
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS10C4D2N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":683,"20+":1865,"21+":155000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS10C4D2N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@50V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@44A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF27N25
    onsemi Mosfet场效应管 FQPF27N25

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF27N25

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:55W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2450pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@7A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC6675BZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC6675BZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC6675BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€36W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2865pF@15V

    连续漏极电流:9.5A€20A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.4mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR876BDP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR876BDP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR876BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€71.4W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3040pF@50V

    连续漏极电流:13.6A€51.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
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