商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA64DP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA64DP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA64DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3420pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDP20N50F
    onsemi Mosfet场效应管 FDP20N50F

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP20N50F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3390pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@10A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF20N50FT
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF20N50FT

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF20N50FT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38.5W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3390pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@10A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月27日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7938DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7938DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7938DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N-Channel

    导通电阻:5.8mΩ

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS10C4D2N
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS10C4D2N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS10C4D2N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4500pF@50V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@44A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    ST Mosfet场效应管 STP17NK40ZFP
    ST Mosfet场效应管 STP17NK40ZFP

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP17NK40ZFP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    起购:50
    加购:50
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-E3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-E3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    起购:2500
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH50N30Q3
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH50N30Q3

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH50N30Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:690W

    阈值电压:6.5V@4mA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3160pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@25A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STP17NK40ZFP
    ST Mosfet场效应管 STP17NK40ZFP

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP17NK40ZFP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC6675BZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC6675BZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC6675BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€36W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2865pF@15V

    连续漏极电流:9.5A€20A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.4mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    起购:2
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT26N50P
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT26N50P

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTT26N50P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400W

    阈值电压:5.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@13A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4166DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4166DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4166DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.5W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2730pF@15V

    连续漏极电流:30.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR466DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR466DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR466DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€54W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2730pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N-Channel

    导通电阻:3.5mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7938DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7938DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7938DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N-Channel

    导通电阻:5.8mΩ

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3 起订11个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3 起订11个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F
    onsemi Mosfet场效应管 FDB20N50F

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB20N50F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3390pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@10A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4166DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4166DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4166DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.5W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2730pF@15V

    连续漏极电流:30.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    起购:500
    加购:5
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ26N50P
    IXYS Mosfet场效应管 IXTQ26N50P

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTQ26N50P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400W

    阈值电压:5.5V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@13A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4166DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4166DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4166DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.5W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2730pF@15V

    连续漏极电流:30.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7938DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7938DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7938DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N-Channel

    导通电阻:5.8mΩ

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    起购:3000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4166DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4166DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4166DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.5W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2730pF@15V

    连续漏极电流:30.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR876BDP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR876BDP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR876BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€71.4W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3040pF@50V

    连续漏极电流:13.6A€51.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    起购:500
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH50N30Q3 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH50N30Q3 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH50N30Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:690W

    阈值电压:6.5V@4mA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3160pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@25A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6382 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6382 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6382

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@15V

    连续漏极电流:85A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.85mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    起购:1000
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR876BDP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR876BDP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR876BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€71.4W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3040pF@50V

    连续漏极电流:13.6A€51.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    起购:2500
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧