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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R1-25YLC,115 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R1-25YLC,115 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R1-25YLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:215W

    阈值电压:1.95V@1mA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5287pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R2-25YLC,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R2-25YLC,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R2-25YLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:179W

    阈值电压:1.95V@1mA

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4173pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    加购:1500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-25YLB,115 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-25YLB,115 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN6R0-25YLB,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:58W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1099pF@12V

    连续漏极电流:73A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3730UVT-7 起订29个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3730UVT-7 起订29个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3730UVT-7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V€63pF@10V

    连续漏极电流:680mA€460mA

    类型:N和P沟道互补型

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHD97NQ03LT,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHD97NQ03LT,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":5000,"MI+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHD97NQ03LT,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1570pF@12V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1156
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4863NAT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4863NAT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":355000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4863NAT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.27W€36.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:990pF@12V

    连续漏极电流:9.2A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1233
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC004NE2LS5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC004NE2LS5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC004NE2LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€188W

    阈值电压:2V@10mA

    栅极电荷:238nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11000pF@12.5V

    连续漏极电流:40A€479A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.45mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-25YLDX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-25YLDX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R0-25YLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:2.2V@1mA

    栅极电荷:34.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2485pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.09mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN0R9-25YLC,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN0R9-25YLC,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN0R9-25YLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:272W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6775pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.99mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMNR51-25YLHX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMNR51-25YLHX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMNR51-25YLHX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:2.2V@2mA

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6990pF@12V

    连续漏极电流:380A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.57mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-25YLDX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-25YLDX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R0-25YLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:2.2V@1mA

    栅极电荷:34.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2485pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.09mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R2-25YLC,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R2-25YLC,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R2-25YLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:179W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4173pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-25YLDX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R0-25YLDX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R0-25YLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:2.2V@1mA

    栅极电荷:34.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2485pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.09mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R9-25MLC,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R9-25MLC,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R9-25MLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:69W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1524pF@12.5V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.15mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN0R9-25YLC,115 起订6000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN0R9-25YLC,115 起订6000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN0R9-25YLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:272W

    阈值电压:1.95V@1mA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6775pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.99mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R2-25YLDX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R2-25YLDX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R2-25YLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:172W

    阈值电压:2.2V@1mA

    栅极电荷:60.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4327pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC004NE2LS5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC004NE2LS5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC004NE2LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€188W

    阈值电压:2V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:238nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11000pF@12.5V

    连续漏极电流:40A€479A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.45mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4860NT4G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4860NT4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":2600,"10+":22000,"MI+":1060}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4860NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.28W€50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1308pF@12V

    连续漏极电流:10.4A€65A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-25YLB,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-25YLB,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN6R0-25YLB,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:58W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1099pF@12V

    连续漏极电流:73A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMNR51-25YLHX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMNR51-25YLHX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMNR51-25YLHX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:2.2V@2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6990pF@12V

    连续漏极电流:380A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.57mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R0-25YLDX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R0-25YLDX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R0-25YLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:160W

    阈值电压:2.2V@1mA

    栅极电荷:71.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5308pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.89mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R2-25YLC,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R2-25YLC,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R2-25YLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:179W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4173pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN0R9-25YLC,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN0R9-25YLC,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN0R9-25YLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:272W

    阈值电压:1.95V@1mA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6775pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.99mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R5-25MLHX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R5-25MLHX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R5-25MLHX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:106W

    阈值电压:2.2V@1mA

    栅极电荷:58nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3167pF@12V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.81mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN9R0-25MLC,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN9R0-25MLC,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN9R0-25MLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:1.95V@1mA

    栅极电荷:11.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:705pF@12.5V

    连续漏极电流:55A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R2-25YLC,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R2-25YLC,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R2-25YLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:106W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2542pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R2-25YLDX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R2-25YLDX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R2-25YLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:172W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4327pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R4-25YLDX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN5R4-25YLDX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN5R4-25YLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2.2V@1mA

    栅极电荷:12.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:858pF@12V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.69mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC004NE2LS5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC004NE2LS5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC004NE2LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€188W

    阈值电压:2V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:238nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11000pF@12.5V

    连续漏极电流:40A€479A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.45mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R1-25YLC,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R1-25YLC,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R1-25YLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:215W

    阈值电压:1.95V@1mA

    栅极电荷:83nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5287pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
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