漏源电压
    25V
    工作温度
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    行业应用
    漏源电压: 25V
    工作温度: -55℃~175℃
    当前匹配商品:400+
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    onsemi Mosfet场效应管 NTD4858NT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4858NT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":2974,"10+":202,"12+":199,"13+":564,"14+":63445,"16+":7500,"18+":39000,"19+":22914,"21+":27500,"22+":3872}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4858NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W€54.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1563pF@12V

    连续漏极电流:11.2A€73A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:971
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC004NE2LS5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC004NE2LS5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC004NE2LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€188W

    阈值电压:2V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:238nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11000pF@12.5V

    连续漏极电流:40A€479A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.45mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-25YLB,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-25YLB,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN6R0-25YLB,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:58W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1099pF@12V

    连续漏极电流:73A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:3
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN0R9-25YLC,115 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN0R9-25YLC,115 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN0R9-25YLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:272W

    阈值电压:1.95V@1mA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6775pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.99mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:1500
    加购:1500
    onsemi Mosfet场效应管 NTD70N03R
    onsemi Mosfet场效应管 NTD70N03R

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":44600,"07+":75,"08+":450}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD70N03R

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.36W€62.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.2nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:1333pF@20V

    连续漏极电流:10A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:2466
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4865NT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4865NT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":22500,"11+":517500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4865NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.27W€33.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:827pF@12V

    连续漏极电流:8.5A€44A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:2004
    onsemi Mosfet场效应管 NTD60N02R-35G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD60N02R-35G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":19425}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD60N02R-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.25W€58W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:1330pF@20V

    连续漏极电流:8.5A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:2671
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R8-25MLC,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R8-25MLC,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R8-25MLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:88W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2432pF@12.5V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:1500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R2-25YLC,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R2-25YLC,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R2-25YLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:179W

    阈值电压:1.95V@1mA

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4173pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:1500
    加购:1500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-25YLB,115 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-25YLB,115 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN6R0-25YLB,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:58W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1099pF@12V

    连续漏极电流:73A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.1mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:1500
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3730UVT-7 起订29个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3730UVT-7 起订29个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3730UVT-7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:700mW

    阈值电压:1.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V€63pF@10V

    连续漏极电流:680mA€460mA

    类型:N和P沟道互补型

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD70N03RT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD70N03RT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":3855,"05+":168260,"06+":527497,"08+":7445,"09+":75000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD70N03RT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.36W€62.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1333pF@20V

    连续漏极电流:10A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:891
    onsemi Mosfet场效应管 NTD70N03R-001
    onsemi Mosfet场效应管 NTD70N03R-001

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":20,"06+":2175,"9999":140,"MI+":2206}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD70N03R-001

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.36W€62.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.2nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:1333pF@20V

    连续漏极电流:10A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:2466
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4860NT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4860NT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":2600,"10+":22000,"MI+":1060}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4860NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.28W€50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1308pF@12V

    连续漏极电流:10.4A€65A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:902
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC004NE2LS5ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC004NE2LS5ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC004NE2LS5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.5W€188W

    阈值电压:2V@10mA

    栅极电荷:238nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11000pF@12.5V

    连续漏极电流:40A€479A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.45mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4855N-35G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4855N-35G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":2925}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4855N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.35W€66.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32.7nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2950pF@12V

    连续漏极电流:14A€98A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:972
    NXP Mosfet场效应管 PHD108NQ03LT,118
    NXP Mosfet场效应管 PHD108NQ03LT,118

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"9999":72}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHD108NQ03LT,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:187W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1375pF@12V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:1069
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD03N03LA G 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD03N03LA G 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD03N03LA G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:2V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5200pF@15V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@60A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD78N03-35G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD78N03-35G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":379064,"07+":16200,"08+":2662,"09+":4200}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD78N03-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€64W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2250pF@12V

    连续漏极电流:11.4A€78A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@78A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:1394
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4854N-35G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4854N-35G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":4950}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4854N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.43W€93.75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49.2nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:4600pF@12V

    连续漏极电流:15.7A€128A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:329
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD03N03LA G 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD03N03LA G 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD03N03LA G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:2V@70µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5200pF@15V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@60A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR8256TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR8256TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR8256TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:63W

    阈值电压:2.35V@25µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1470pF@13V

    连续漏极电流:81A

    类型:N-Channel

    导通电阻:5.7mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:9
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R2-25YLDX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R2-25YLDX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R2-25YLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:172W

    阈值电压:2.2V@1mA

    栅极电荷:60.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4327pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:3
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMNR51-25YLHX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMNR51-25YLHX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMNR51-25YLHX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:2.2V@2mA

    栅极电荷:113nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6990pF@12V

    连续漏极电流:380A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.57mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4856N-35G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4856N-35G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":2550}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4856N-35G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.33W€60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:2241pF@12V

    连续漏极电流:13.3A€89A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:1145
    onsemi Mosfet场效应管 NTD40N03R-001
    onsemi Mosfet场效应管 NTD40N03R-001

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":3540}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD40N03R-001

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€50W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.78nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:584pF@20V

    连续漏极电流:7.8A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:2671
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHD97NQ03LT,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHD97NQ03LT,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":5000,"MI+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHD97NQ03LT,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:107W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1570pF@12V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:1156
    onsemi Mosfet场效应管 NTD65N03R
    onsemi Mosfet场效应管 NTD65N03R

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":2250}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD65N03R

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W€50W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@20V

    连续漏极电流:9.5A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.4mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:1188
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4863NAT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4863NAT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":355000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4863NAT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.27W€36.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:990pF@12V

    连续漏极电流:9.2A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:1233
    onsemi Mosfet场效应管 NTD70N03RG
    onsemi Mosfet场效应管 NTD70N03RG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":8591}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD70N03RG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.36W€62.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.2nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:1333pF@20V

    连续漏极电流:10A€32A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:1886
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