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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：19425}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD60N02R-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.25W€58W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1330pF@20V
连续漏极电流：8.5A€32A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：20，"06+"：2175，"9999"：140，"MI+"：2206}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD70N03R-001
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：10A€32A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"08+"：2250}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD65N03R
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€50W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@20V
连续漏极电流：9.5A€32A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：{"08+"：3559}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD50N03RG
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€50W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@11.5V
包装方式：管件
输入电容：750pF@12V
连续漏极电流：7.8A€45A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@30A，11.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4855N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.35W€66.7W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：32.7nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2950pF@12V
连续漏极电流：14A€98A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4865N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€33.3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10.8nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：827pF@12V
连续漏极电流：8.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4856N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.33W€60W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：27nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2241pF@12V
连续漏极电流：13.3A€89A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4860NA-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：21.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1308pF@12V
连续漏极电流：10.4A€65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4860NA-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：21.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1308pF@12V
连续漏极电流：10.4A€65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：865，"09+"：129592，"10+"：9225，"11+"：2100}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD70N03R-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：10A€32A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：8475}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4860N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1308pF@12V
连续漏极电流：10.4A€65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：12975}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4865N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.27W€33.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：827pF@12V
连续漏极电流：8.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：10.9mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：379064，"07+"：16200，"08+"：2662，"09+"：4200}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD78N03-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€64W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2250pF@12V
连续漏极电流：11.4A€78A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@78A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：2400，"06+"：3511}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD65N03R-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€50W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@20V
连续漏极电流：9.5A€32A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：865，"09+"：129592，"10+"：9225，"11+"：2100}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD70N03R-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：10A€32A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：44600，"07+"：75，"08+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD70N03R
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：10A€32A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4858N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€54.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.2nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1563pF@12V
连续漏极电流：11.2A€73A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4858N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€54.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19.2nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1563pF@12V
连续漏极电流：11.2A€73A
类型：N沟道
导通电阻：6.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD78N03-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.4W€64W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：35nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2250pF@12V
连续漏极电流：11.4A€78A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@78A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD70N03R-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：13.2nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1333pF@20V
连续漏极电流：10A€32A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4860N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1308pF@12V
连续漏极电流：10.4A€65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4860N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：16.5nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1308pF@12V
连续漏极电流：10.4A€65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4860NA-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.28W€50W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：21.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1308pF@12V
连续漏极电流：10.4A€65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
