品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8KC6TCR
工作温度:150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@30V
连续漏极电流:5.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:30mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS6L120BGTB1
功率:104W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:3.52nF@30V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.7mΩ@90A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:宏迦橙
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@1mA
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:340mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:10pF@10V
导通电阻:900mΩ@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K32HZGTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:65mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:0.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":261}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2933-E
功率:25W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:52mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RH6L040BGTB1
功率:2W€59W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:18.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.32nF@30V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.1mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RF4L070BGTCR
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:7.6nC@10V
输入电容:460pF@30V
连续漏极电流:7A
类型:1个N沟道
导通电阻:27mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601K-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:800mA
类型:N-Channel
导通电阻:3Ω
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601DWKQ-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:305mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS3L110ATTB1
工作温度:150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6300pF@30V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:12.8mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN601DWK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:305mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):VN10LFTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):RSH065N06TB1
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:16nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@6.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L03BATTL1
工作温度:150℃
功率:56W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1930pF@30V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:41mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):VN10LFTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:330mW
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:150mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):UT6JC5TCR
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:265pF@30V
连续漏极电流:2.5A
类型:2个P沟道
导通电阻:280mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8KC5TCR
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:135pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:2个N沟道
导通电阻:90mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:0.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":127892}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3714-S12-AZ
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:3.2nF@10V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:13mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RSS065N06HZGTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@10V
连续漏极电流:6.5A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@6.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3L070ATTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@30V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度:150℃
功率:1W€23W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@10V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002KQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QH8KC6TCR
工作温度:150℃
功率:1.1W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@30V
连续漏极电流:5.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:30mΩ@5.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3L01BATTL1
工作温度:150℃
功率:26W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:84mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PXN012-60QLJ
工作温度:-55℃~150℃
功率:34.7W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:18.77nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:957pF@30V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN10KN3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:袋
输入电容:60pF@25V
连续漏极电流:310mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002K-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:0.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:380mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: