品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002
工作温度：150℃
功率：225mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5866A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W€68.2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1574pF@25V
连续漏极电流：7A€40A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G05P06L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1366pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G030N06T
阈值电压：2.5V
连续漏极电流：223A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G170P06M
阈值电压：3.5V
连续漏极电流：65A
类型：1个P沟道
导通电阻：12mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G050N06LL
阈值电压：2.5V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：30mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3439_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：1.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：51pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：P沟道
导通电阻：4Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2310A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM048NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6253pF@30V
连续漏极电流：16A€107A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM6502CR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1159pF@30V€930pF@30V
连续漏极电流：24A€18A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM220NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1454pF@30V
连续漏极电流：8A€35A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G05P06L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.6W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1366pF@50V
连续漏极电流：5A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM220NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：68W
阈值电压：1V
栅极电荷：23nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：35A
类型：MOSFET
导通电阻：22mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G23N06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：38W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@15V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT025N06AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：215W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4954pF@30V
连续漏极电流：170A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G65P06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5814pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：06N06L
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：765pF@30V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：GIGADEVICE
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K72KFS，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM250NB06DCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€58W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1398pF@30V
连续漏极电流：6A€30A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：25mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT025N06D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：120W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：93nC@10V
输入电容：5.95nF@25V
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G65P06K
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5814pF@25V
连续漏极电流：65A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GSF7002AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：150mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT065P06D5
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：103A
类型：1个P沟道
导通电阻：5.9mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON7264E
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.5W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@30V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT090N06D52
工作温度：-55℃~150℃
功率：62W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1011pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：14mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G60N06T
功率：85W
阈值电压：1.5V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD11N06A-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W€30W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：9.3nC@10V
输入电容：509pF@15V
连续漏极电流：11A€3.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：75mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT042P06T
阈值电压：2.5V
连续漏极电流：160A
类型：1个P沟道
导通电阻：3.7mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K-AU_R1_000A2
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：0.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：35pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
