品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84 RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:357mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37pF@30V
连续漏极电流:150mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84W RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:298mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37pF@30V
连续漏极电流:140mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@140mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84W RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:298mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37pF@30V
连续漏极电流:140mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@140mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84AKW
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:P沟道
导通电阻:4Ω@300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84AKW
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:P沟道
导通电阻:4Ω@300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84W RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:298mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37pF@30V
连续漏极电流:140mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@140mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84W RFG
工作温度:-55℃~150℃
功率:298mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:37pF@30V
连续漏极电流:140mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@140mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84AKW
工作温度:-55℃~150℃
功率:270mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:41pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:P沟道
导通电阻:4Ω@300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6007LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:41.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2090pF@30V
连续漏极电流:15A€80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002W-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
导通电阻:13.5Ω
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C673NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€46W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:13A€50A
类型:N沟道
导通电阻:9.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DW-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN65D8LFB-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:430mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@25V
连续漏极电流:260mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD08P06-155L-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W€20.8W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:8.2A
类型:P沟道
导通电阻:155mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFSC1D6N06CL
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€166W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6660pF@25V
连续漏极电流:35A€224A
类型:N沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6007LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:41.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2090pF@30V
连续漏极电流:15A€80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H615NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€139W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4860pF@30V
连续漏极电流:28A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@49A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002W-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF3055L108T3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002T-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:0.115A
类型:N-Channel
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD3055L170T4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€28.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:10nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@4.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVF3055L108T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:15nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":7179}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMJS1D6N06CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€167W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6660pF@25V
连续漏极电流:38A€250A
类型:N沟道
导通电阻:1.36mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STD12NF06L-1
工作温度:-55℃~175℃
功率:42.8W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:10nC@5V
包装方式:管件
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN66D0LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23pF@25V
连续漏极电流:0.115A
类型:N-Channel
导通电阻:5Ω@115mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD16NF06T4
工作温度:-55℃~175℃
功率:40W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:14.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@15V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLR014TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€25W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:8.4nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:7.7A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@4.6A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:BiPOM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1142,"22+":1651}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDT3055L
工作温度:-65℃~150℃
功率:3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6007LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W€62.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:41.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2090pF@30V
连续漏极电流:15A€80A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6012LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:22.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1522pF@30V
连续漏极电流:10.4A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: