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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS84 RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS84 RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:357mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:37pF@30V

    连续漏极电流:150mA

    类型:P沟道

    导通电阻:8Ω@150mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:21000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS84W RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS84W RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84W RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:298mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:37pF@30V

    连续漏极电流:140mA

    类型:P沟道

    导通电阻:8Ω@140mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS84W RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS84W RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84W RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:298mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:37pF@30V

    连续漏极电流:140mA

    类型:P沟道

    导通电阻:8Ω@140mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 BSS84AKW
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 BSS84AKW

    品牌:GOOD-ARK

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84AKW

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:41pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:24
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 BSS84AKW
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 BSS84AKW

    品牌:GOOD-ARK

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84AKW

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:41pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS84W RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS84W RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84W RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:298mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:37pF@30V

    连续漏极电流:140mA

    类型:P沟道

    导通电阻:8Ω@140mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS84W RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 BSS84W RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84W RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:298mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:37pF@30V

    连续漏极电流:140mA

    类型:P沟道

    导通电阻:8Ω@140mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 BSS84AKW
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 BSS84AKW

    品牌:GOOD-ARK

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84AKW

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:270mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:41pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6007LFG-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6007LFG-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6007LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W€62.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:41.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2090pF@30V

    连续漏极电流:15A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    加购:2000
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002W-7-F
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002W-7-F

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002W-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    导通电阻:13.5Ω

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C673NLTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C673NLTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5C673NLTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€46W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:13A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    MCC Mosfet场效应管 2N7002DW-TP
    MCC Mosfet场效应管 2N7002DW-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002DW-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN65D8LFB-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN65D8LFB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:430mW

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:25pF@25V

    连续漏极电流:260mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:18
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD08P06-155L-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD08P06-155L-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD08P06-155L-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€20.8W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:8.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:155mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC1D6N06CL
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFSC1D6N06CL

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFSC1D6N06CL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.1W€166W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6660pF@25V

    连续漏极电流:35A€224A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6007LFG-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6007LFG-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6007LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W€62.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:41.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2090pF@30V

    连续漏极电流:15A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    加购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H615NLT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5H615NLT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5H615NLT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€139W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4860pF@30V

    连续漏极电流:28A€185A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@49A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 2N7002W-TP
    MCC Mosfet场效应管 2N7002W-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002W-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    onsemi Mosfet场效应管 NVF3055L108T3G
    onsemi Mosfet场效应管 NVF3055L108T3G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVF3055L108T3G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:15nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@1.5A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002T-7-F
    DIODES Mosfet场效应管 2N7002T-7-F

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002T-7-F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:0.115A

    类型:N-Channel

    导通电阻:7.5Ω@50mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:53
    onsemi Mosfet场效应管 NVD3055L170T4G-VF01
    onsemi Mosfet场效应管 NVD3055L170T4G-VF01

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD3055L170T4G-VF01

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€28.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:10nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:275pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:170mΩ@4.5A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NVF3055L108T1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVF3055L108T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVF3055L108T1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:15nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@1.5A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NVMJS1D6N06CLTWG
    onsemi Mosfet场效应管 NVMJS1D6N06CLTWG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":7179}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMJS1D6N06CLTWG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€167W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6660pF@25V

    连续漏极电流:38A€250A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.36mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:273
    ST Mosfet场效应管 STD12NF06L-1
    ST Mosfet场效应管 STD12NF06L-1

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD12NF06L-1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42.8W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:10nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 DMN66D0LDW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN66D0LDW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN66D0LDW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23pF@25V

    连续漏极电流:0.115A

    类型:N-Channel

    导通电阻:5Ω@115mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    加购:5
    ST Mosfet场效应管 STD16NF06T4 起订2500个装
    ST Mosfet场效应管 STD16NF06T4 起订2500个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD16NF06T4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:40W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:14.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:70mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR014TRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRLR014TRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR014TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:8.4nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@4.6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    BiPOM Mosfet场效应管 NDT3055L
    BiPOM Mosfet场效应管 NDT3055L

    品牌:BiPOM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1142,"22+":1651}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT3055L

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:347
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6007LFG-7 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6007LFG-7 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6007LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W€62.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:41.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2090pF@30V

    连续漏极电流:15A€80A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6012LSS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMT6012LSS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT6012LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1522pF@30V

    连续漏极电流:10.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
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