采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM220NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1454pF@30V
连续漏极电流：8A€35A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM130NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@30V
连续漏极电流：10A€51A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT2955
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM130NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@30V
连续漏极电流：10A€51A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM220NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1454pF@30V
连续漏极电流：8A€35A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM220NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1454pF@30V
连续漏极电流：8A€35A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM220NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€68W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1454pF@30V
连续漏极电流：8A€35A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM045NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€136W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6870pF@30V
连续漏极电流：16A€104A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR014TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86540
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6410pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP064PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7400pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@78A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPD08P06PGBTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：420pF@25V
连续漏极电流：8.83A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@10A，6.2V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM100N06CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4382pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF1010ESTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3210pF@25V
连续漏极电流：84A
类型：N-Channel
导通电阻：12mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6010SK3Q-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2841pF@30V
连续漏极电流：16.3A€70A
类型：N沟道
导通电阻：8mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86566-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6655pF@30V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB47P06TM-AM002
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@23.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9014TRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：5.1A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：31714，"MI+"：7000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP5426NG
工作温度：-55℃~175℃
功率：215W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5800pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@60A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7749L1TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12320pF@25V
连续漏极电流：33A€200A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@120A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF3055-100T1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：455pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7749L1TRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：300nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12320pF@25V
连续漏极电流：33A
类型：N-Channel
导通电阻：1.5mΩ@120A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL12P6F6
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@48V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C612NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€167W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900pF@25V
连续漏极电流：34A€225A
类型：N沟道
导通电阻：1.65mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP50N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：131W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2020pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：3175}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD32N06-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€93.75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1725pF@25V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@31A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL50N6F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1035pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF9Z24STRR-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：P沟道
导通电阻：280mΩ@6.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86563-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：357W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：169nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10300pF@30V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
