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    UMW Mosfet场效应管 2N7002
    UMW Mosfet场效应管 2N7002

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002

    工作温度:150℃

    功率:225mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:157
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM048NB06LCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM048NB06LCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM048NB06LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6253pF@30V

    连续漏极电流:16A€107A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.8mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    谷峰 Mosfet场效应管 G23N06K
    谷峰 Mosfet场效应管 G23N06K

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G23N06K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:590pF@15V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    谷峰 Mosfet场效应管 06N06L
    谷峰 Mosfet场效应管 06N06L

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):06N06L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:960mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:765pF@30V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    谷峰 Mosfet场效应管 20N06
    谷峰 Mosfet场效应管 20N06

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):20N06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:41W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1609pF@30V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3439-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3439-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3439-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G02P06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:573pF@30V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:58
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 GS2N7002KW
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 GS2N7002KW

    品牌:GOOD-ARK

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GS2N7002KW

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:18pF@30V

    连续漏极电流:340mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM120N06LCS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM120N06LCS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:12.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2193pF@30V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002KW_R1_00001
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002KW_R1_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KW_R1_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:35pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:33
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002KW-AU_R1_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002KW-AU_R1_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KW-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06
    谷峰 Mosfet场效应管 G02P06

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G02P06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:573pF@30V

    连续漏极电流:1.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:190mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 GSF7002AT
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 GSF7002AT

    品牌:GOOD-ARK

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GSF7002AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3439-AU_R1_000A1 起订9000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3439-AU_R1_000A1 起订9000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3439-AU_R1_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:51pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    UMW Mosfet场效应管 50N06
    UMW Mosfet场效应管 50N06

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):50N06

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:105W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2928pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 2N7002K 起订100个装
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 2N7002K 起订100个装

    品牌:GOOD-ARK

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:430mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V,600mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5466A1-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5466A1-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5466A1-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€100W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:13.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1574pF@25V

    连续漏极电流:7.4A€48A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 GSF7002AT
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 GSF7002AT

    品牌:GOOD-ARK

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GSF7002AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002K-AU_R1_000A2 起订26个装
    强茂 Mosfet场效应管 2N7002K-AU_R1_000A2 起订26个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K-AU_R1_000A2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:35pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:26
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM850N06CX RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM850N06CX RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM850N06CX RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:529pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:85mΩ@2.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4465AP-AU_R2_000A1 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4465AP-AU_R2_000A1 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4465AP-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€20W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1256pF@30V

    连续漏极电流:5A€15A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 2N7002K
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 2N7002K

    品牌:GOOD-ARK

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:430mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@500mA,4.5V,600mΩ@300mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 GSF7002AT
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 GSF7002AT

    品牌:GOOD-ARK

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GSF7002AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:115mA

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8588CS RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM8588CS RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM8588CS RLG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W€5.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:527pF@30V€436pF@30V

    连续漏极电流:2.5A€5A€2A€4A

    类型:N和P沟道互补型

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 GS2N7002KW
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 GS2N7002KW

    品牌:GOOD-ARK

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GS2N7002KW

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:18pF@30V

    连续漏极电流:340mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    谷峰 Mosfet场效应管 G05P06L 起订1000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G05P06L 起订1000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G05P06L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:37nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1366pF@50V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:80mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM170N06CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM170N06CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM170N06CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:28.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@25V

    连续漏极电流:38A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4460AP-AU_R2_000A1 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4460AP-AU_R2_000A1 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4460AP-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€23.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:3.7A€11A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKDCU6 RFG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM2N7002AKDCU6 RFG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM2N7002AKDCU6 RFG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:240mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@30V

    连续漏极电流:220mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5466A1-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5466A1-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5466A1-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€100W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:13.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1574pF@25V

    连续漏极电流:7.4A€48A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
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