品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4465AP-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€20W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1256pF@30V
连续漏极电流:5A€15A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4465AP-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€20W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1256pF@30V
连续漏极电流:5A€15A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT090N06K
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1088pF@30V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5465A_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€25W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1256pF@30V
连续漏极电流:5A€16A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G08N06S
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:979pF@30V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
导通电阻:26mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4465AP-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€20W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1256pF@30V
连续漏极电流:5A€15A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT090N06K
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1088pF@30V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT090N06K
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1088pF@30V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJD16P06A_L2_00001
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2W€25W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.256nF@30V
连续漏极电流:16A€5A
类型:1个P沟道
导通电阻:48mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055-100T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3427AEEV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@30V
连续漏极电流:5.3A
导通电阻:95mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7309DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:115mΩ@3.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3427AEEV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@30V
连续漏极电流:5.3A
导通电阻:95mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS4604DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€33.7W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:960pF@30V
连续漏极电流:14.6A€44.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6L035ATTCR
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.19nF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:78mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7309DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:115mΩ@3.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS4604DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€33.7W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:960pF@30V
连续漏极电流:14.6A€44.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8KC7TB1
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:1.4nF@30V
连续漏极电流:10.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:12.4mΩ@10.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3427AEEV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@30V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6L035ATTCR
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.19nF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:78mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8KC7TB1
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:1.4nF@30V
连续漏极电流:10.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:12.4mΩ@10.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6L035ATTCR
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.19nF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:78mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055-100T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:23+
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9407BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@30V
连续漏极电流:3.2A
类型:P-Channel
导通电阻:120mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9407BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@30V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@3.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18534Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€77W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770pF@30V
连续漏极电流:13A€50A
类型:N沟道
导通电阻:9.8mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18534Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€77W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1770pF@30V
连续漏极电流:13A€50A
类型:N沟道
导通电阻:9.8mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9407BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@30V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@3.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6L035ATTCR
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.19nF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:78mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: