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    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4465AP-AU_R2_000A1 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4465AP-AU_R2_000A1 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4465AP-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€20W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1256pF@30V

    连续漏极电流:5A€15A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4465AP-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4465AP-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4465AP-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€20W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1256pF@30V

    连续漏极电流:5A€15A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1088pF@30V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5465A_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5465A_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5465A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1256pF@30V

    连续漏极电流:5A€16A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    谷峰 Mosfet场效应管 G08N06S
    谷峰 Mosfet场效应管 G08N06S

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G08N06S

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:979pF@30V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:26mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:31
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4465AP-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4465AP-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4465AP-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€20W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1256pF@30V

    连续漏极电流:5A€15A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1088pF@30V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K
    谷峰 Mosfet场效应管 GT090N06K

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GT090N06K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1088pF@30V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJD16P06A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD16P06A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD16P06A_L2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2W€25W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.256nF@30V

    连续漏极电流:16A€5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:48mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF3055-100T1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:99
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427AEEV-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427AEEV-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3427AEEV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@30V

    连续漏极电流:5.3A

    导通电阻:95mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7309DN-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7309DN-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7309DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:115mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427AEEV-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427AEEV-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3427AEEV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@30V

    连续漏极电流:5.3A

    导通电阻:95mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4604DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4604DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS4604DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€33.7W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:960pF@30V

    连续漏极电流:14.6A€44.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6L035ATTCR
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6L035ATTCR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ6L035ATTCR

    功率:950mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.19nF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:78mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7309DN-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7309DN-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7309DN-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:115mΩ@3.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4604DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS4604DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS4604DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.6W€33.7W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:960pF@30V

    连续漏极电流:14.6A€44.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ROHM Mosfet场效应管 SH8KC7TB1
    ROHM Mosfet场效应管 SH8KC7TB1

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SH8KC7TB1

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:1.4nF@30V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:12.4mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427AEEV-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427AEEV-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3427AEEV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@30V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6L035ATTCR
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6L035ATTCR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ6L035ATTCR

    功率:950mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.19nF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:78mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:20
    ROHM Mosfet场效应管 SH8KC7TB1
    ROHM Mosfet场效应管 SH8KC7TB1

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SH8KC7TB1

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:1.4nF@30V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:12.4mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6L035ATTCR
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6L035ATTCR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ6L035ATTCR

    功率:950mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.19nF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:78mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF3055-100T1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9407BDY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9407BDY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:23+

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9407BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W€5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@30V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:P-Channel

    导通电阻:120mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9407BDY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9407BDY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9407BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@30V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD18534Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD18534Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18534Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€77W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1770pF@30V

    连续漏极电流:13A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.8mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD18534Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD18534Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18534Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€77W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1770pF@30V

    连续漏极电流:13A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.8mΩ@14A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9407BDY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9407BDY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9407BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@30V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    加购:2500
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6L035ATTCR
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6L035ATTCR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ6L035ATTCR

    功率:950mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.19nF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:78mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:20
    onsemi Mosfet场效应管 NTB18N06G
    onsemi Mosfet场效应管 NTB18N06G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":1600}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB18N06G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48.4W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
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