品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM120P06-07L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:270nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14280pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:6.7mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS6L120BGTB1
功率:104W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:3.52nF@30V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.7mΩ@90A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3205S
工作温度:-55℃~+175℃
功率:143W
阈值电压:2.8V@250μA
栅极电荷:80nC@10V
输入电容:3.7nF@30V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
反向传输电容:270pF@30V
导通电阻:6mΩ@10V,30A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFS3306TRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@150µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4520pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N06S5L032ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:2.2V@44µA
栅极电荷:51.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3823pF@30V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@60A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":31714,"MI+":7000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP5426NG
工作温度:-55℃~175℃
功率:215W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5800pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@60A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP032N06N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@118µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13000pF@30V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP3306PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:220W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4520pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP030N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9815pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":7800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFS3306TRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:120A
类型:N-Channel
导通电阻:4.2mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDI030N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9815pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":424}
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP3306PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:220W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4520pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDI030N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:231W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9815pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":610}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R0-60ES,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:338W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:137nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9997pF@30V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N06S5N017ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:167W
阈值电压:3.4V@94µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6952pF@30V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@60A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB3206PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@150µA
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6540pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":9600}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFS3206TRL
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6540pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL225N6F7AG
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:98nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6500pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@60A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK763R1-60E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:293W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8920pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP025N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:395W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:226nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14885pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.5mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK762R6-60E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:324W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10170pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP024N06N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@196µA
栅极电荷:275nC@10V
包装方式:管件
输入电容:23000pF@30V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS6L120BGTB1
功率:104W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:3.52nF@30V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.7mΩ@90A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB029N06N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:188W
阈值电压:4V@118µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@30V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@100A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFS3306TRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@150µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4520pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
生产批次:{"09+":31714,"MI+":7000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTP5426NG
工作温度:-55℃~175℃
功率:215W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5800pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@60A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL220N6F7
工作温度:-55℃~175℃
功率:4.8W€187W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6600pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"9999":1053}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK752R7-60E,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:349W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:158nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11180pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM120P06-07L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:270nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14280pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:6.7mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC120N06S5L032ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:2.2V@44µA
栅极电荷:51.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3823pF@30V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@60A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: