采购热线 400-661-9010
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP3206PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：280W
阈值电压：4V@150µA
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6540pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N-Channel
导通电阻：3mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18535KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6620pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18535KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6620pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP3206PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：280W
阈值电压：4V@150µA
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6540pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N-Channel
导通电阻：3mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18536KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11430pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18536KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11430pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ466E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10210pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18535KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6620pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18535KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6620pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP3206PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：280W
阈值电压：4V@150µA
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6540pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N-Channel
导通电阻：3mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18535KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6620pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18535KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6620pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18535KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6620pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP3206PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：280W
阈值电压：4V@150µA
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6540pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N-Channel
导通电阻：3mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP3206PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：280W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6540pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N-Channel
导通电阻：3mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18535KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6620pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP3206PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：280W
阈值电压：4V@150µA
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6540pF@50V
连续漏极电流：200A
类型：N-Channel
导通电阻：3mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18536KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11430pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18542KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5070pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18536KTT
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：140nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11430pF@30V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ466E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10210pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ466E-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10210pF@25V
连续漏极电流：200A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
