品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM480P06CP ROG
工作温度:-50℃~150℃
功率:66W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@30V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BRCS20P06DP
功率:20W
阈值电压:1.7V@250μA
连续漏极电流:20A
类型:1个P沟道
导通电阻:98mΩ@4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD407
连续漏极电流:20A
类型:1个P沟道
导通电阻:68mΩ@10V,12A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT20N06
工作温度:-55℃~+175℃
功率:44W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:21nC@10V
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:66pF@25V
导通电阻:25mΩ@10V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT20N06
工作温度:-55℃~+175℃
功率:44W
阈值电压:1.8V@250μA
栅极电荷:21nC@10V
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:66pF@25V
导通电阻:25mΩ@10V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM480P06CH X0G
工作温度:-50℃~150℃
功率:66W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1250pF@30V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM480P06CP ROG
工作温度:-50℃~150℃
功率:66W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@30V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT6929J
工作温度:-55℃~+150℃
功率:28W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:50nC@10V
输入电容:288pF@30V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:22pF@30V
导通电阻:22.5mΩ@10V,5A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NCE6020AK-ES
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:33mΩ@4.5V,10A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":35000,"MI+":4876}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC155N06NDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@30V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L26AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:2.2V@10µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:26mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L11ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.2V@28µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4020pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.2mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:36W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:508pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L11ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.2V@28µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4020pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.2mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP20N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.88W€60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1015pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:46mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":7069,"23+":94567,"MI+":2111}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L14ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2890pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13.7mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L-26
功率:33W
阈值电压:2.2V@10μA
连续漏极电流:20A
类型:2个N沟道
导通电阻:26mΩ@10V,17A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L11ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.2V@28µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4020pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.2mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":37851,"23+":125900,"24+":56845,"MI+":5567}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L26ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:2.2V@10µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:26mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ110N06NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€50W
阈值电压:4V@23µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@30V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S415AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@20µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2260pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIZ34GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"03+":1851}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20N06L-001
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.36W€60W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@5V
包装方式:管件
输入电容:990pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@10A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):DI020N06D1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L14AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2.2V@20µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2890pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13.7mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP20NF06L
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:7.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):DI020N06D1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:25.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:21+
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP20N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L11ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.2V@28µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4020pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.2mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: