采购热线 400-661-9010
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G130N06S2
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9A
类型：2个N沟道
导通电阻：12.5mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G800N06S2
阈值电压：1.2V
连续漏极电流：3A
类型：2个N沟道
导通电阻：60mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G130N06S2
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：9A
类型：2个N沟道
导通电阻：12.5mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G350N06D32
阈值电压：1.7V
连续漏极电流：10A
类型：2个N沟道
导通电阻：29mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002DW
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：1.12nC
输入电容：30.5pF
连续漏极电流：300mA
类型：2个N沟道
反向传输电容：4.1pF
导通电阻：1.5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5866A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：56W€1.7W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.574nF@25V
连续漏极电流：40A€7A
类型：2个N沟道
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N06S4L-26
功率：33W
阈值电压：2.2V@10μA
连续漏极电流：20A
类型：2个N沟道
导通电阻：26mΩ@10V，17A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8KC5TCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：2个N沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8KC5TCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：2个N沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002DWH6327
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：300mA
类型：2个N沟道
导通电阻：3Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KC7TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：1.4nF@30V
连续漏极电流：10.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5744}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD016N06CT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：36W
阈值电压：4V@25μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：489pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：2个N沟道
反向传输电容：5.7pF@30V
导通电阻：13.6mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KC7TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：1.4nF@30V
连续漏极电流：10.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9K35-60RAX
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：7.8nC@5V
输入电容：1.081nF@25V
连续漏极电流：22A
类型：2个N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K31HZGTB
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：5.2nC@5V
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：120mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K31HZGTB
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：5.2nC@5V
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：120mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002BKSH
工作温度：150℃
功率：295mW€1.04W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QH8KC5TCR
功率：1.1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：2个N沟道
导通电阻：90mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：14208}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2756GR-E1-A
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：260pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2个N沟道
导通电阻：105mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN620KDW-AQ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：320mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：320pF@30V
连续漏极电流：350mA
类型：2个N沟道
导通电阻：2Ω@100mA，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KC7TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：1.4nF@30V
连续漏极电流：10.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UT6KC5TCR
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：3.1nC@10V
输入电容：135pF@30V
连续漏极电流：3.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：95mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9K35-60RAX
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：7.8nC@5V
输入电容：1.081nF@25V
连续漏极电流：22A
类型：2个N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K31HZGTB
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：5.2nC@5V
输入电容：250pF@10V
连续漏极电流：3.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：120mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8KC7TB1
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：1.4nF@30V
连续漏极电流：10.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBT7002DW
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115A
类型：2个N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD016N06CT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：36W
阈值电压：4V@25μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：489pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：2个N沟道
反向传输电容：5.7pF@30V
导通电阻：13.6mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002BKSH
工作温度：150℃
功率：295mW€1.04W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.6Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9K35-60RAX
工作温度：-55℃~+175℃
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：7.8nC@5V
输入电容：1.081nF@25V
连续漏极电流：22A
类型：2个N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFD016N06CT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：36W
阈值电压：4V@25μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：489pF@30V
连续漏极电流：32A
类型：2个N沟道
反向传输电容：5.7pF@30V
导通电阻：13.6mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
