采购热线 400-661-9010
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6461-AU_S1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G08N06S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：979pF@30V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：26mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6461_S1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6461-AU_S1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1407pF@40V
连续漏极电流：5.4A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6461_S1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：3.2A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SP8K32HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：65mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3127DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：13A
类型：P-Channel
导通电阻：89mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A11GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@40V
连续漏极电流：4.4A
类型：N-Channel
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2302
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2308CES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：205pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：N-Channel
导通电阻：150mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：24050}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO615NGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@20µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：150mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4L070BGTCR
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：7.6nC@10V
输入电容：460pF@30V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：27mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4828
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.5A
类型：N-Channel
导通电阻：56mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO615NGXUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2V@20µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：380pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：150mΩ@2.6A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A08GQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2106GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@18V
连续漏极电流：710mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMNH6042SK3-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS4DNF60L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1030pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：55mΩ@2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A25GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：20.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2241
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2361AEES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.8A
导通电阻：170mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSH065N06TB1
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：16nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@6.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2304
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7351TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：4V@50µA
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：N-Channel
导通电阻：17.8mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1407pF@40V
连续漏极电流：7.5A
类型：N-Channel
导通电阻：40mΩ@8.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSS065N06HZGTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@10V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@6.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3L070ATTB
工作温度：150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850pF@30V
连续漏极电流：25A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A11GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：5.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@40V
连续漏极电流：4.4A
类型：N-Channel
导通电阻：120mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN2106GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：75pF@18V
连续漏极电流：710mA
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4206GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A17GQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@2.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6023LE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：53.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2569pF@30V
连续漏极电流：7A€18.2A
类型：P沟道
导通电阻：28mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
