品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK4R4P06PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:48.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3280pF@30V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GIGADEVICE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK4R4P06PL,RQ
工作温度:175℃
功率:87W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:48.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3280pF@30V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P06SLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€56W
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3200pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK25S06N1L,LXHQ
工作温度:175℃
功率:57W
阈值电压:2.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:855pF@10V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:36.8mΩ@12.5A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF140N6F7
工作温度:175℃
功率:33W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@35A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STL140N6F7
工作温度:175℃
功率:4.8W€125W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:140A
类型:N-Channel
导通电阻:2.5mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK90S06N1L,LQ
工作温度:175℃
功率:157W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@10V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP45N06VUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2540pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9.6mΩ@23A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P06SLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€56W
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3200pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P06SLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€56W
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3200pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP50P06SDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€84W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:16.5mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP140N6F7
工作温度:175℃
功率:158W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@10V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP100P06PDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€200W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:300nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15000pF@10V
连续漏极电流:100A
类型:P沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP45N06VDK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:11.6mΩ@23A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP29N06QUK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1W€44W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L(T6L1,NQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7760pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":22200}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP80N06MLG-S18-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€115W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:128nC@10V
包装方式:散装
输入电容:6900pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ60S06M3L(T6L1,NQ
工作温度:175℃
功率:100W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7760pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:11.2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPW1R306PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8100pF@30V
连续漏极电流:260A
类型:N沟道
导通电阻:1.29mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN7R006PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:630mW€75W
阈值电压:2.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1875pF@30V
连续漏极电流:54A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@27A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD35P6LLF6
工作温度:175℃
功率:70W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3780pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@17.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP15P06SLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€30W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@10V
连续漏极电流:15A
类型:P沟道
导通电阻:70mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPH2R106NC,L1XHQ
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6900pF@10V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@55A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP36P06SLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€56W
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3200pF@10V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:30mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP20P06SLG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€38W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP90N06VDK-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.2W€147W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6000pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:5.3mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TJ50S06M3L(T6L1,NQ
工作温度:175℃
功率:90W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:124nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6290pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13.8mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NP50P06KDG-E1-AY
工作温度:175℃
功率:1.8W€90W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:95nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK90S06N1L,LQ
工作温度:175℃
功率:157W
阈值电压:2.5V@500µA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@10V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH7R006PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:81W
阈值电压:2.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1875pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@10A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: