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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK4R4P06PL,RQ
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK4R4P06PL,RQ

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK4R4P06PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.5V@500µA

    栅极电荷:48.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3280pF@30V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@29A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK4R4P06PL,RQ
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 TK4R4P06PL,RQ

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK4R4P06PL,RQ

    工作温度:175℃

    功率:87W

    阈值电压:2.5V@500µA

    栅极电荷:48.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3280pF@30V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@29A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY 起订2个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY 起订2个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP36P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€56W

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3200pF@10V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK25S06N1L,LXHQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK25S06N1L,LXHQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK25S06N1L,LXHQ

    工作温度:175℃

    功率:57W

    阈值电压:2.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:855pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:36.8mΩ@12.5A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STF140N6F7
    ST Mosfet场效应管 STF140N6F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF140N6F7

    工作温度:175℃

    功率:33W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STL140N6F7
    ST Mosfet场效应管 STL140N6F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL140N6F7

    工作温度:175℃

    功率:4.8W€125W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@25V

    连续漏极电流:140A

    类型:N-Channel

    导通电阻:2.5mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK90S06N1L,LQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK90S06N1L,LQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK90S06N1L,LQ

    工作温度:175℃

    功率:157W

    阈值电压:2.5V@500µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@10V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@45A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    RENESAS Mosfet场效应管 NP45N06VUK-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP45N06VUK-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP45N06VUK-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2540pF@25V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.6mΩ@23A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP36P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€56W

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3200pF@10V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP36P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€56W

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3200pF@10V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    RENESAS Mosfet场效应管 NP50P06SDG-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP50P06SDG-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP50P06SDG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€84W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:16.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP140N6F7
    ST Mosfet场效应管 STP140N6F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP140N6F7

    工作温度:175℃

    功率:158W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3100pF@10V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@40A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    RENESAS Mosfet场效应管 NP100P06PDG-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP100P06PDG-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP100P06PDG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€200W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:300nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15000pF@10V

    连续漏极电流:100A

    类型:P沟道

    导通电阻:6mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    RENESAS Mosfet场效应管 NP45N06VDK-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP45N06VDK-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP45N06VDK-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@25V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.6mΩ@23A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    RENESAS Mosfet场效应管 NP29N06QUK-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP29N06QUK-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP29N06QUK-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:21mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ60S06M3L(T6L1,NQ 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ60S06M3L(T6L1,NQ 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TJ60S06M3L(T6L1,NQ

    工作温度:175℃

    功率:100W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:156nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7760pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N06MLG-S18-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP80N06MLG-S18-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":22200}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP80N06MLG-S18-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€115W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:128nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:6900pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.6mΩ@40A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ60S06M3L(T6L1,NQ 起订50个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ60S06M3L(T6L1,NQ 起订50个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TJ60S06M3L(T6L1,NQ

    工作温度:175℃

    功率:100W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:156nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7760pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:11.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPW1R306PL,L1Q
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPW1R306PL,L1Q

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPW1R306PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8100pF@30V

    连续漏极电流:260A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.29mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN7R006PL,L1Q 起订2000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN7R006PL,L1Q 起订2000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN7R006PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:630mW€75W

    阈值电压:2.5V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1875pF@30V

    连续漏极电流:54A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@27A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    ST Mosfet场效应管 STD35P6LLF6
    ST Mosfet场效应管 STD35P6LLF6

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD35P6LLF6

    工作温度:175℃

    功率:70W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3780pF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@17.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    RENESAS Mosfet场效应管 NP15P06SLG-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP15P06SLG-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP15P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€30W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@10V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPH2R106NC,L1XHQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 XPH2R106NC,L1XHQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):XPH2R106NC,L1XHQ

    工作温度:175℃

    功率:960mW€170W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:104nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6900pF@10V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@55A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP36P06SLG-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP36P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€56W

    栅极电荷:52nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3200pF@10V

    连续漏极电流:36A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@18A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P06SLG-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P06SLG-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP20P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N06VDK-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP90N06VDK-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP90N06VDK-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€147W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@45A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ50S06M3L(T6L1,NQ 起订300个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TJ50S06M3L(T6L1,NQ 起订300个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TJ50S06M3L(T6L1,NQ

    工作温度:175℃

    功率:90W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6290pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    RENESAS Mosfet场效应管 NP50P06KDG-E1-AY
    RENESAS Mosfet场效应管 NP50P06KDG-E1-AY

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP50P06KDG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€90W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:95nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:17mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1600
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK90S06N1L,LQ
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK90S06N1L,LQ

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK90S06N1L,LQ

    工作温度:175℃

    功率:157W

    阈值电压:2.5V@500µA

    栅极电荷:81nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5400pF@10V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@45A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH7R006PL,L1Q
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH7R006PL,L1Q

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH7R006PL,L1Q

    工作温度:175℃

    功率:81W

    阈值电压:2.5V@200µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1875pF@30V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.5mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10000
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