采购热线 400-661-9010
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2308
功率：1W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，2.6A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2308A
功率：1.25W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5462A-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：71.4W€2.4W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.142nF@25V
连续漏极电流：42A€8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：G110N06K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：160W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：113nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.538nF@25V
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：72mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4464AP-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W€2.4W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.574nF@25V
连续漏极电流：7.3A€33A
类型：1个N沟道
导通电阻：17mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2308A
功率：1.25W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002B
功率：225mW
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NIF5002NT1G
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：26mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：L2N7002KX4T5G
连续漏极电流：320mA
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD25N06A-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48.4W€2.4W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.173nF@25V
连续漏极电流：25A€5.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4464AP-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48W€2.4W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.574nF@25V
连续漏极电流：7.3A€33A
类型：1个N沟道
导通电阻：17mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2年内
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM6001-3/TR
功率：690mW
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW7N06A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.173nF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LBSS260DW1T1G
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.44Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT088N06T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：75W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：1.62nF@30V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS2310MA
功率：900mW
阈值电压：1.8V@250μA
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：94mΩ@4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT08N06
工作温度：-55℃~+175℃
功率：107W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：72nC@10V
输入电容：3nF@30V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
反向传输电容：240pF@30V
导通电阻：7mΩ@10V，20A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD30NF06L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：25nC@10V
输入电容：1.562nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：29mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD11N06A-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W€30W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：9.3nC@10V
输入电容：509pF@15V
连续漏极电流：11A€3.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：75mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW7N06A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.173nF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BR2N7002K2
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.7Ω@5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR1205TR
功率：44W
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT20N06
工作温度：-55℃~+175℃
功率：44W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：66pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT20N06
工作温度：-55℃~+175℃
功率：44W
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：21nC@10V
输入电容：670pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：66pF@25V
导通电阻：25mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM6001-3/TR
功率：690mW
阈值电压：2V@250μA
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G60N06T
功率：85W
阈值电压：1.5V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G075N06M
阈值电压：4V
连续漏极电流：110A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD11N06A-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.4W€30W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：9.3nC@10V
输入电容：509pF@15V
连续漏极电流：11A€3.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：75mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT6515J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：28W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：62nC@10V
输入电容：1.82nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
反向传输电容：180pF@25V
导通电阻：15mΩ@10V，25A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
