采购热线 400-661-9010
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002EY
工作温度：150°C（TJ）
功率：350mW（Ta）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：2.4 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：18 pF @ 30 V
连续漏极电流：340mA（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：5 欧姆 @ 300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT014
工作温度：-65°C~150°C（TJ）
功率：3W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：11 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155 pF @ 25 V
连续漏极电流：2.7A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：200 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT014
工作温度：-65°C~150°C（TJ）
功率：3W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：11 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155 pF @ 25 V
连续漏极电流：2.7A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：200 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86520
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），69W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850 pF @ 30 V
连续漏极电流：14A（Ta），42A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：7.4 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5353
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），69W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3215 pF @ 30 V
连续漏极电流：11.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：12.3 毫欧 @ 10.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5353
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），69W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3215 pF @ 30 V
连续漏极电流：11.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：12.3 毫欧 @ 10.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86520
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），69W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850 pF @ 30 V
连续漏极电流：14A（Ta），42A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：7.4 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU13N06LTU-WS
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），28W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
栅极电荷：6.4 nC @ 5 V
包装方式：管件
输入电容：350 pF @ 25 V
连续漏极电流：11A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：115 毫欧 @ 5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86520
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），69W（Tc）
阈值电压：4.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2850 pF @ 30 V
连续漏极电流：14A（Ta），42A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：7.4 毫欧 @ 14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP020N06NAKSA1
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：3W（Ta），214W（Tc）
阈值电压：2.8V @ 143µA
栅极电荷：106 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：7800 pF @ 30 V
连续漏极电流：29A（Ta），120A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：2 毫欧 @ 100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD079N06L3GBTMA1
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：2.2V @ 34µA
栅极电荷：29 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900 pF @ 30 V
连续漏极电流：50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：7.9 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3960}
包装规格(MPQ)：70psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU13N06LTU-WS
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.5W（Ta），28W（Tc）
阈值电压：2.5V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4 nC @ 5 V
包装方式：管件
输入电容：350 pF @ 25 V
连续漏极电流：11A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：115 毫欧 @ 5.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD5353
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），69W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3215 pF @ 30 V
连续漏极电流：11.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：12.3 毫欧 @ 10.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT014
工作温度：-65°C~150°C（TJ）
功率：3W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：11 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155 pF @ 25 V
连续漏极电流：2.7A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：200 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76423P3
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：85W（Tc）
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：34 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：1060 pF @ 25 V
连续漏极电流：35A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：30 毫欧 @ 35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT014
工作温度：-65°C~150°C（TJ）
功率：3W（Ta）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：11 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155 pF @ 25 V
连续漏极电流：2.7A（Ta）
类型：N 通道
导通电阻：200 毫欧 @ 1.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD13AN06A0
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：115W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：29 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350 pF @ 25 V
连续漏极电流：9.9A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：13.5 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD079N06L3GBTMA1
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：79W（Tc）
阈值电压：2.2V @ 34µA
栅极电荷：29 nC @ 4.5 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4900 pF @ 30 V
连续漏极电流：50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：7.9 毫欧 @ 50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86540
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：3.1W（Ta），127W（Tc）
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：90 nC @ 10 V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6340 pF @ 30 V
连续漏极电流：21.5A（Ta），50A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.1 毫欧 @ 21.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
