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    行业应用: 汽车
    ECCN: EAR99
    阈值电压: 900mV@250µA
    当前匹配商品:1500+
    商品信息
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    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2400UFB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI2300-TP 起订6个装
    MCC Mosfet场效应管 SI2300-TP 起订6个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2300-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:482pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB-7 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFB-7 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2400UFB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCPB5530X,115 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCPB5530X,115 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMCPB5530X,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:4A€3.4A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:34mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDPB30XNZ 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDPB30XNZ 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDPB30XNZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW€8.33W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB20XPE,115 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB20XPE,115 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB20XPE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2945pF@10V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:23.5mΩ@7.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDPB30XNZ 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDPB30XNZ 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDPB30XNZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW€8.33W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:40mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA923AEDJ-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA923AEDJ-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA923AEDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.8W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@10V

    连续漏极电流:4.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:54mΩ@3.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB19XP,115 起订2835个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB19XP,115 起订2835个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":81000,"22+":122500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB19XP,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43.2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2890pF@10V

    连续漏极电流:7.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:22.5mΩ@7.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA437DJ-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA437DJ-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA437DJ-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2340pF@10V

    连续漏极电流:29.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3493BDV-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3493BDV-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3493BDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.08W€2.97W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1805pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:27.5mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2160UFDBQ-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2160UFDBQ-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2160UFDBQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:536pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SI3415A-TP 起订5个装
    MCC Mosfet场效应管 SI3415A-TP 起订5个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3415A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:45mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2160UFDBQ-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2160UFDBQ-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2160UFDBQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:536pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:70mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB15XP,115 起订4个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB15XP,115 起订4个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB15XP,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2875pF@6V

    连续漏极电流:8.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:19mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX100UNEZ 起订11个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX100UNEZ 起订11个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMX100UNEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW€4.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:123pF@10V

    连续漏极电流:1.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM6501VPEZ 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCM6501VPEZ 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMCM6501VPEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:556mW€12.5W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@6V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS435DNT-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS435DNT-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS435DNT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€39W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5700pF@10V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.4mΩ@13A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN16XNEX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN16XNEX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN16XNEX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:550mW€6.25W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1136pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@6.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV100XPR 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NXV100XPR 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NXV100XPR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:340mW€2.1W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:354pF@15V

    连续漏极电流:1.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:140mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX100UNZ 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMX100UNZ 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMX100UNZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW€4.7W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:144pF@10V

    连续漏极电流:1.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:210mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024U-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024U-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2024U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:647pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2AR 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2AR 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH205G2AR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:610mW€10W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:421pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:118mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441BT1G 起订3206个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3441BT1G 起订3206个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"07+":750,"09+":18000,"10+":30000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3441BT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:630pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:90mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UV-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UV-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2400UV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:36pF@16V

    连续漏极电流:1.33A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:480mΩ@200mA,5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110UW-7 起订9000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2110UW-7 起订9000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2110UW-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:443pF@6V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCPB5530X,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMCPB5530X,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMCPB5530X,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:4A€3.4A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:34mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024U-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024U-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2024U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:647pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB43UNEZ 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMXB43UNEZ 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMXB43UNEZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400mW€8.33W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:551pF@10V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:54mΩ@3.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS435DNT-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS435DNT-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS435DNT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€39W

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:180nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5700pF@10V

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.4mΩ@13A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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