品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10J80E,S1E
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPA11N80C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:34W
阈值电压:3.9V@680µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1600pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@7.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT58M80J
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:960W(Tc)
阈值电压:5V @ 5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:570 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:17550 pF @ 25 V
连续漏极电流:60A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:110 毫欧 @ 43A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA80R360P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:3.5V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:930pF@500V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@5.6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD02N80C3ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3.9V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:2.7Ω@1.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA80R900P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:3.5V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@500V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA24N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:89nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1836pF@100V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:184mΩ@10A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBE30STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF400N80ZL1-F154
工作温度:-55℃~150℃
功率:35.7W
阈值电压:4.5V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB290N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:212W
阈值电压:4.5V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3205pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":25500,"18+":25357,"19+":27000,"9999":1465,"MI+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPS80R2K0P7AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:24W
阈值电压:3.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9nC@10V
包装方式:管件
输入电容:175pF@500V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@940mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD11N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:804pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB4N80TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€130W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:3.9A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.95A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R600P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@500V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG17N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1260pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPA08N80C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:3.9V@470µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@5.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHB17N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:179W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1260pF@100V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:290mΩ@8.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R2K8CEATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:3.9V@120µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:290pF@100V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:2.8Ω@1.1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBE30STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPA06N80C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:39W
阈值电压:3.9V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:785pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@3.8A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R8005ANJFRGTL
工作温度:150℃
功率:120W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:2.1Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA6N80AE-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:422pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":75,"08+":342}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF8N80CYDTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:59W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2050pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.55Ω@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT8030JVFR
阈值电压:4V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:510nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7900pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":10000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R750P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:51W
阈值电压:3.5V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:460pF@500V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@2.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD80R2K4P7ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:22W
阈值电压:3.5V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@500V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@800mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFBE30LPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:4.1A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@2.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:[]
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP2N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:550pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:6.3Ω@1.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":19480}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPS80R600P7AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.5V@170µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:570pF@500V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3.4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":150000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPU80R3K3P7AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:18W
阈值电压:3.5V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:120pF@500V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:3.3Ω@590mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: