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    行业应用: 汽车
    ECCN: EAR99
    漏源电压: 800V
    当前匹配商品:1100+
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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10J80E,S1E 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK10J80E,S1E 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK10J80E,S1E

    工作温度:150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA11N80C3XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA11N80C3XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPA11N80C3XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:34W

    阈值电压:3.9V@680µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:85nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1600pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@7.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT58M80J 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT58M80J 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT58M80J

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:960W(Tc)

    阈值电压:5V @ 5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:570 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:17550 pF @ 25 V

    连续漏极电流:60A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:110 毫欧 @ 43A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA80R360P7XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA80R360P7XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA80R360P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:3.5V@280µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:930pF@500V

    连续漏极电流:13A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5.6A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD02N80C3ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD02N80C3ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD02N80C3ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3.9V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@100V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7Ω@1.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA80R900P7XKSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA80R900P7XKSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA80R900P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:3.5V@110µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:350pF@500V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N80AE-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA24N80AE-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA24N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:89nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1836pF@100V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:184mΩ@10A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE30STRLPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE30STRLPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBE30STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@2.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF400N80ZL1-F154 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCPF400N80ZL1-F154 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCPF400N80ZL1-F154

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35.7W

    阈值电压:4.5V@1.1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2350pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCB290N80 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCB290N80 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCB290N80

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:212W

    阈值电压:4.5V@1.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:75nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3205pF@100V

    连续漏极电流:17A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPS80R2K0P7AKMA1 起订917个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPS80R2K0P7AKMA1 起订917个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":25500,"18+":25357,"19+":27000,"9999":1465,"MI+":1500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPS80R2K0P7AKMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:24W

    阈值电压:3.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:175pF@500V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@940mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD11N80AE-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD11N80AE-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD11N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:804pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:450mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB4N80TM 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB4N80TM 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB4N80TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.13W€130W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6Ω@1.95A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R600P7ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R600P7ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R600P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.5V@170µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@500V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG17N80AE-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG17N80AE-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG17N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:179W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1260pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA08N80C3XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA08N80C3XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPA08N80C3XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:3.9V@470µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1100pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@5.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB17N80AE-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB17N80AE-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB17N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:179W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:62nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1260pF@100V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:290mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K8CEATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K8CEATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R2K8CEATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:3.9V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:290pF@100V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@1.1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE30STRLPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE30STRLPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBE30STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@2.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA06N80C3XKSA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPA06N80C3XKSA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPA06N80C3XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:3.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:785pF@100V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:900mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R8005ANJFRGTL 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 R8005ANJFRGTL 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R8005ANJFRGTL

    工作温度:150℃

    功率:120W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@25V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1Ω@2.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA6N80AE-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA6N80AE-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA6N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:422pF@100V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQPF8N80CYDTU 起订299个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQPF8N80CYDTU 起订299个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":75,"08+":342}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF8N80CYDTU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:59W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2050pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.55Ω@4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 APT8030JVFR 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 APT8030JVFR 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT8030JVFR

    阈值电压:4V@2.5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:510nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7900pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@500mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R750P7ATMA1 起订592个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R750P7ATMA1 起订592个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":10000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R750P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:51W

    阈值电压:3.5V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:460pF@500V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:750mΩ@2.7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K4P7ATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R2K4P7ATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R2K4P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:22W

    阈值电压:3.5V@40µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@500V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4Ω@800mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE30LPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFBE30LPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFBE30LPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@2.5A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP2N80 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP2N80 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:[]

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP2N80

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:85W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:550pF@25V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3Ω@1.2A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPS80R600P7AKMA1 起订479个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPS80R600P7AKMA1 起订479个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":19480}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPS80R600P7AKMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.5V@170µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:570pF@500V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU80R3K3P7AKMA1 起订489个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU80R3K3P7AKMA1 起订489个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":150000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPU80R3K3P7AKMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:18W

    阈值电压:3.5V@30µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:120pF@500V

    连续漏极电流:1.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3Ω@590mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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