品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R075CPFKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:3.5V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4000pF@100V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@26A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG65R057M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:161W
阈值电压:5.7V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@400V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:74mΩ@16.7A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85312Q3E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2390pF@10V
连续漏极电流:39A
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:12.4mΩ@10A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":174}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R048M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:5.7V@6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1118pF@400V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@20.1A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4126DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4405pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:2.75mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85312Q3E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2390pF@10V
连续漏极电流:39A
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:12.4mΩ@10A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":429,"14+":2029,"15+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85312Q3E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2390pF@10V
连续漏极电流:39A
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:12.4mΩ@10A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBG65R057M1HXTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:161W
阈值电压:5.7V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@18V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:930pF@400V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:74mΩ@16.7A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":174}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMZA65R048M1HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:5.7V@6mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1118pF@400V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@20.1A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":1200}
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76633P3-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:145W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1820pF@25V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@39A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85312Q3E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2390pF@10V
连续漏极电流:39A
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:12.4mΩ@10A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):90psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC060SMA070B4
工作温度:-55℃~175℃
功率:143W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1175pF@700V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@20A,20V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4126DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4405pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:2.75mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85312Q3E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2390pF@10V
连续漏极电流:39A
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:12.4mΩ@10A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN057-200B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@17A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN057-200B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@17A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPL60R085P7AUMA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:154W
阈值电压:4V@590µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2180pF@400V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@11.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85312Q3E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2390pF@10V
连续漏极电流:39A
类型:2N沟道(双)共源
导通电阻:12.4mΩ@10A,8V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-30MLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:519pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:13.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4126DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€7.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:105nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4405pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:2.75mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-30MLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:519pF@15V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:13.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":75}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R075CPAFKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:313W
阈值电压:3.5V@1.74mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4000pF@100V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@26A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2318}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF39N20TLDTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2130pF@25V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@19.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G150GNTB
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@20V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G150GNTB
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@20V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G150GNTB
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@20V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF39N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2130pF@25V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@19.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF39N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:37W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2130pF@25V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:66mΩ@19.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3G150GNTB
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1450pF@20V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF42S60L
工作温度:-55℃~150℃
功率:37.9W
阈值电压:3.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2154pF@100V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:99mΩ@21A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: