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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMH600UNEH 起订23个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMH600UNEH 起订23个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMH600UNEH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW€2.2W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.31nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K56CT,L3F 起订10000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K56CT,L3F 起订10000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K56CT,L3F

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K56CT,L3F 起订8个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K56CT,L3F 起订8个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K56CT,L3F

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN86265P 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN86265P 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN86265P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@75V

    连续漏极电流:800mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@800mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N56FE,LM 起订28000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N56FE,LM 起订28000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N56FE,LM

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV450ENEAR 起订15个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV450ENEAR 起订15个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV450ENEAR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:323mW€554mW

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:101pF@30V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@900mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N56FE,LM 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N56FE,LM 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N56FE,LM

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N56FE,LM 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N56FE,LM 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N56FE,LM

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L56FE,LM 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L56FE,LM 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6L56FE,LM

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@10V€100pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTY08N50D2 起订560个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTY08N50D2 起订560个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTY08N50D2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:312pF@25V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6Ω@400mA,0V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTY08N50D2 起订1050个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTY08N50D2 起订1050个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):70psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTY08N50D2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@5V

    包装方式:管件

    输入电容:312pF@25V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6Ω@400mA,0V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J56MFV,L3F 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J56MFV,L3F 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J56MFV,L3F

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:P沟道

    导通电阻:390mΩ@800mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT290UNE,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT290UNE,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDT290UNE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:83pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N56FE,LM 起订12个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N56FE,LM 起订12个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N56FE,LM

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K62TU,LF 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K62TU,LF 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K62TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:177pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@800mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L56FE,LM 起订2000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L56FE,LM 起订2000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6L56FE,LM

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@10V€100pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J56MFV,L3F 起订2000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J56MFV,L3F 起订2000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J56MFV,L3F

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:100pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:P沟道

    导通电阻:390mΩ@800mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT290UNE,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT290UNE,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDT290UNE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:83pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMH600UNEH 起订2500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMH600UNEH 起订2500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMH600UNEH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW€2.2W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.31nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDN86265P 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDN86265P 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDN86265P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:210pF@75V

    连续漏极电流:800mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.2Ω@800mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K56MFV,L3F 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K56MFV,L3F 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K56MFV,L3F

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT290UNE,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT290UNE,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDT290UNE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:83pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N56FE,LM 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N56FE,LM 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N56FE,LM

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L56FE,LM 起订8000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6L56FE,LM 起订8000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6L56FE,LM

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@10V€100pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N和P沟道

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N56FE,LM 起订12个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N56FE,LM 起订12个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N56FE,LM

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N56FE,LM 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6N56FE,LM 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6N56FE,LM

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:55pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:235mΩ@800mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT290UNEH 起订2000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT290UNEH 起订2000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDT290UNEH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:330mW€1.09W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:83pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMH600UNEH 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMH600UNEH 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMH600UNEH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW€2.2W

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.31nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.3pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:620mΩ@600mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT290UNE,115 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMDT290UNE,115 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMDT290UNE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:83pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K62TU,LF 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K62TU,LF 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K62TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:177pF@10V

    连续漏极电流:800mA

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@800mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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