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    onsemi Mosfet场效应管 NDF04N62ZG 起订1188个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDF04N62ZG 起订1188个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":7050,"9999":284}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDF04N62ZG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:535pF@25V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:620V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5908DC-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5908DC-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.4A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:40mΩ@4.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R950C6ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R950C6ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R950C6ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:3.5V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@100V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R950C6XKSA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R950C6XKSA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":71000,"15+":775,"16+":2381,"9999":494,"MI+":100}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R950C6XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:3.5V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:280pF@100V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU60R950C6AKMA1 起订1069个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPU60R950C6AKMA1 起订1069个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":115421,"MI+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPU60R950C6AKMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:3.5V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:280pF@100V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN27XPE,115 起订1603个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN27XPE,115 起订1603个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":34557}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN27XPE,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:530mW€8.33W

    阈值电压:1.25V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1770pF@10V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3406_R1_00001 起订6000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJA3406_R1_00001 起订6000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJA3406_R1_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.25W

    阈值电压:2.1V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:235pF@15V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:48mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098LSD-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098LSD-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3098LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:336pF@25V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:65mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV28ENEAR 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV28ENEAR 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV28ENEAR

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:660mW€8.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:266pF@15V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:37mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV33UPE,215 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV33UPE,215 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV33UPE,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1820pF@10V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:36mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 GSFC3401 起订25个装
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 GSFC3401 起订25个装

    品牌:GOOD-ARK

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GSFC3401

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@15V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098LSD-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098LSD-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3098LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:336pF@25V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:65mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT12H060LFDF-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT12H060LFDF-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT12H060LFDF-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:475pF@50V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:115V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV28ENER 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV28ENER 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV28ENER

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:660mW€8.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:266pF@15V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4961EY-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4961EY-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4961EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@25V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R950C6ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R950C6ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R950C6ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:3.5V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@100V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:950mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K406TU,LF 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM6K406TU,LF 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM6K406TU,LF

    工作温度:150℃

    功率:500mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:490pF@15V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 GSFC3401 起订100个装
    GOOD-ARK Mosfet场效应管 GSFC3401 起订100个装

    品牌:GOOD-ARK

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GSFC3401

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.2W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@15V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV33UPE,215 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV33UPE,215 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV33UPE,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:490mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1820pF@10V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:36mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV28ENEAR 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV28ENEAR 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV28ENEAR

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:660mW€8.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:266pF@15V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:37mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV42ENER 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV42ENER 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV42ENER

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW€5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:281pF@15V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV42ENER 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV42ENER 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV42ENER

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW€5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:281pF@15V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098LSD-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3098LSD-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3098LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:336pF@25V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:65mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6N25TM 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6N25TM 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":3945,"13+":144192,"22+":555}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD6N25TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:50W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV28ENEAR 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV28ENEAR 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV28ENEAR

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:660mW€8.3W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:266pF@15V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:37mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 SL3401A-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 SL3401A-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SL3401A-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@15V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:60mΩ@4.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86252L 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86252L 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86252L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1335pF@75V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2319CDS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2319CDS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2319CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:595pF@20V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:77mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2319CDS-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2319CDS-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2319CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:595pF@20V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:77mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86252L 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86252L 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86252L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1335pF@75V

    连续漏极电流:4.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

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