采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：7050，"9999"：284}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDF04N62ZG
工作温度：-55℃~150℃
功率：28W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：管件
输入电容：535pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@2A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5908DC-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@4.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R950C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：71000，"15+"：775，"16+"：2381，"9999"：494，"MI+"：100}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R950C6XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：管件
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：115421，"MI+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPU60R950C6AKMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：管件
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：34557}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN27XPE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：530mW€8.33W
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1770pF@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：30mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3406_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：48mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3098LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：336pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：65mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28ENEAR
工作温度：-55℃~+175℃
功率：660mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV33UPE，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GSFC3401
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3098LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：336pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：65mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT12H060LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@50V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@3A，4.5V
漏源电压：115V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28ENER
工作温度：-55℃~175℃
功率：660mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4961EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R950C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：37W
阈值电压：3.5V@130µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@100V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM6K406TU，LF
工作温度：150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：490pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GSFC3401
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV33UPE，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28ENEAR
工作温度：-55℃~+175℃
功率：660mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV42ENER
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW€5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV42ENER
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW€5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：281pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3098LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：336pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：65mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：3945，"13+"：144192，"22+"：555}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6N25TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.1Ω@2.2A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV28ENEAR
工作温度：-55℃~+175℃
功率：660mW€8.3W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：266pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：37mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SL3401A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1050pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86252L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1335pF@75V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@4.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：595pF@20V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：77mΩ@3.1A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2319CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：595pF@20V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：77mΩ@3.1A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86252L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1335pF@75V
连续漏极电流：4.4A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@4.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
