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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70R600P7SAUMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70R600P7SAUMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD70R600P7SAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:43W

    阈值电压:3.5V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:364pF@400V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB30XPEX 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB30XPEX 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB30XPEX

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4214DDY-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4214DDY-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4214DDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:19.5mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN70R600P7SATMA1 起订521个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN70R600P7SATMA1 起订521个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":824,"22+":84000,"23+":67500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN70R600P7SATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:6.9W

    阈值电压:3.5V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:364pF@400V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD600A70R 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD600A70R 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD600A70R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@100V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4214DDY-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4214DDY-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4214DDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:19.5mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDF08N50ZH 起订713个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDF08N50ZH 起订713个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":68790,"14+":189550}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDF08N50ZH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1095pF@25V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD600A70R 起订2500个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD600A70R 起订2500个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD600A70R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@100V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5680 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5680 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5680

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1835pF@30V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB30XPEX 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB30XPEX 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB30XPEX

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    EPC Mosfet场效应管 EPC2019 起订1个装
    EPC Mosfet场效应管 EPC2019 起订1个装

    品牌:EPC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):EPC2019

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:2.5V@1.5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.9nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:288pF@100V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@7A,5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5680 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5680 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5680

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1835pF@30V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8884

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:23mΩ@10V,8.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8884

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:23mΩ@10V,8.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDF08N50ZH 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDF08N50ZH 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":68790,"14+":189550}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDF08N50ZH

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:4.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1095pF@25V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 HP8M31TB1 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 HP8M31TB1 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HP8M31TB1

    工作温度:150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@30V€2300pF@30V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SH8JB5TB1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 SH8JB5TB1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SH8JB5TB1

    工作温度:150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2870pF@20V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:15.3mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7403TRPBF 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7403TRPBF 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7403TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4089LS 起订161个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4089LS 起订161个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4089LS

    工作温度:150℃

    功率:2W€40W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45.4nC@10V

    包装方式:

    输入电容:1200pF@30V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:720mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB30XPEX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB30XPEX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB30XPEX

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.5A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPS70R600P7SAKMA1 起订75个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPS70R600P7SAKMA1 起订75个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPS70R600P7SAKMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:43W

    阈值电压:3.5V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:364pF@400V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70R600P7SAUMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70R600P7SAUMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD70R600P7SAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:43W

    阈值电压:3.5V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:364pF@400V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70R600P7SAUMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD70R600P7SAUMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD70R600P7SAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:43W

    阈值电压:3.5V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:364pF@400V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4214DDY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4214DDY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4214DDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:19.5mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 HP8M31TB1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 HP8M31TB1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):HP8M31TB1

    工作温度:150℃

    功率:3W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:470pF@30V€2300pF@30V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SH8JB5TB1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 SH8JB5TB1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SH8JB5TB1

    工作温度:150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2870pF@20V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:15.3mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4214DDY-T1-E3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4214DDY-T1-E3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4214DDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:19.5mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4089LS 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4089LS 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":2000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4089LS

    工作温度:150℃

    功率:2W€40W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45.4nC@10V

    包装方式:

    输入电容:1200pF@30V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:720mΩ@6A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD600A70R 起订10个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD600A70R 起订10个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD600A70R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@100V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5680 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5680 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5680

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:46nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1835pF@30V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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