品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR540ZTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@21A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P03BBHTL1
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C3M0065090J-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:113W
阈值电压:3.5V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@600V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@20A,15V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD17577Q3AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€53W
阈值电压:1.8V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2310pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC350N20NSFDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@35A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB4615PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:144W
阈值电压:5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1750pF@50V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@21A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:CREE
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C3M0065100K
工作温度:-55℃~150℃
功率:113.5W
阈值电压:3.5V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@15V
包装方式:管件
输入电容:660pF@600V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@20A,15V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.4V@39µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@35A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":165}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IMW65R057M1HXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:133W
阈值电压:5.7V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@18V
包装方式:管件
输入电容:930pF@400V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:74mΩ@16.7A,18V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS415DNT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5460pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Wolfspeed
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):C3M0065090J-TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:113W
阈值电压:3.5V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@600V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:78mΩ@20A,15V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.4V@39µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@35A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS415DNT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5460pF@10V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":93000,"MI+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M11-40HX
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1345pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR540ZTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@21A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.4V@39µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@35A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":60000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP201-V-TL-H
工作温度:150℃
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:35A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":27000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPS105N03LGAKMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K12-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3470pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:10.7mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1400}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR540ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1690pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:28.5mΩ@21A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"1E+":2850}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJJ0315DPA-00#J5A
功率:30W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@4.5V
输入电容:4.3nF@10V
连续漏极电流:35A
类型:1个P沟道
导通电阻:5.9mΩ@17.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1654,"19+":8700,"20+":7931,"MI+":945}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7635-55A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:85W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:872pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@20A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS443DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4370pF@20V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:11.7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7617DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.7W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:P沟道
导通电阻:12.3mΩ@13.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP080N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K12-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3470pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:10.7mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":100,"22+":2084850}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS0D55N03CGT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:224.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18500pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD35N12S3L24ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.4V@39µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@35A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":100,"22+":2084850}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS0D55N03CGT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.1W
阈值电压:2.2V@330µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:224.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18500pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":238}
包装规格(MPQ):240psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPZ60R060C7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:4V@800µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2850pF@400V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@15.9A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: