采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW65R027M1HXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：189W
阈值电压：5.7V@11mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@18V
包装方式：管件
输入电容：2131pF@400V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@38.3A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Wolfspeed
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：C3M0045065J1
工作温度：-40℃~150℃
功率：147W
阈值电压：3.6V@4.84mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@15V
包装方式：管件
输入电容：1621pF@400V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@17.6A，15V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB47P06TM-AM002
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@23.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R045M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：5.7V@7.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1527pF@800V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@16A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R045M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：5.7V@7.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1527pF@800V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@16A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHK045N60EF-T1GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4685pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB45NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH47N60-F133
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8000F@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW47N60C3FKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：415W
阈值电压：3.9V@2.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：320nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6800pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@30A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCA47N60-F109
工作温度：-55℃~150℃
功率：417W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8000pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@23.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：134，"21+"：100}
包装规格(MPQ)：240psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW47N65C3FKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：415W
阈值电压：3.9V@2.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：255nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7000pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@30A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP054N65E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：312W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3769pF@100V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@20A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M15-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.45V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC094N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.3V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@30V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMW65R027M1HXKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：189W
阈值电压：5.7V@11mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@18V
包装方式：管件
输入电容：2131pF@400V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@38.3A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R050G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：278W
阈值电压：4V@800µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2670pF@400V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@15.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M15-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.45V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLZ44NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@5V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：747，"23+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@50V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R045M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：5.7V@7.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1527pF@800V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@16A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R045M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：5.7V@7.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1527pF@800V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@16A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG120R045M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：227W
阈值电压：5.7V@7.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1527pF@800V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：63mΩ@16A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLZ44NSTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€110W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC094N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：2.3V@14µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@30V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：9.4mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB47P06TM-AM002
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：P沟道
导通电阻：26mΩ@23.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：480psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQW44N65EF-GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：266nC@10V
包装方式：散装
输入电容：5.858nF@100V
连续漏极电流：47A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@22A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPW47N60C3FKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：415W
阈值电压：3.9V@2.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：320nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6800pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@30A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4000，"23+"：34400，"MI+"：3200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP055N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4305pF@400V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@23.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：747，"23+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86183
工作温度：-55℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1515pF@50V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：12.8mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4000，"23+"：34400，"MI+"：3200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP055N65S3H
工作温度：-55℃~150℃
功率：305W
阈值电压：4V@4.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4305pF@400V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@23.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
