品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMT560ENEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:112pF@50V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:715mΩ@1.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB215ENEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W€15.6W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@40V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@1.9A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV55ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:478mW€8.36W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:646pF@30V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV120ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:513mW€6.4W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@2.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV280ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:580mW
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR688DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5.4W€83W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3105pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMT560ENEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:750mW
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:4.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:112pF@50V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:715mΩ@1.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV450ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:323mW€554mW
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:3.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:101pF@30V
连续漏极电流:800mA
类型:N沟道
导通电阻:380mΩ@900mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMXB360ENEAZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:400mW€6.25W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:4.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@40V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@1.1A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ482DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€69.4W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2425pF@40V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@20A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMT280ENEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:195pF@50V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":180000,"22+":186000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB85ENEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W€15.6W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:305pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS62934
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7650DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€125W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:206nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14765pF@15V
连续漏极电流:47A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.99mΩ@36A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV230ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW€1.45W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:177pF@30V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:222mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18543Q3AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@30V
连续漏极电流:12A€60A
类型:N沟道
导通电阻:15.6mΩ@12A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV280ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:580mW
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:6.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:190pF@50V
连续漏极电流:1.1A
类型:N沟道
导通电阻:385mΩ@1.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB215ENEAX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W€15.6W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@40V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@1.9A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV230ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW€1.45W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:177pF@30V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:222mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7650DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€125W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:206nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14765pF@15V
连续漏极电流:47A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.99mΩ@36A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS62934
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:3.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:250pF@50V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV55ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:478mW€8.36W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:646pF@30V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1692}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB215ENEA/FX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@40V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@1.9A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV120ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:513mW€6.4W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@2.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV120ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:513mW€6.4W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@30V
连续漏极电流:2.1A
类型:N沟道
导通电阻:123mΩ@2.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18543Q3A
工作温度:-55℃~150℃
功率:66W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:9.9mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV55ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:478mW€8.36W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:646pF@30V
连续漏极电流:3.1A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@3.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV230ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW€1.45W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:177pF@30V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:222mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7650DC
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€125W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:206nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14765pF@15V
连续漏极电流:47A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.99mΩ@36A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV230ENEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW€1.45W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:4.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:177pF@30V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:222mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: