品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD17P06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9120NTRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:480mΩ@3.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9120NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:480mΩ@3.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR4105ZTRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:740pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:24.5mΩ@18A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD17P06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9120NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:480mΩ@3.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9120NTRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:480mΩ@3.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9120NTRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:480mΩ@3.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD17P06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD17P06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD17P06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9120NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:480mΩ@3.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD14NM50NAG
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:816pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9120NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:480mΩ@3.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD17P06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD17P06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD17P06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD17P06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD17P06TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€44W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:135mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9120NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:480mΩ@3.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD14NM50NAG
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:816pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9120NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:480mΩ@3.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9120NTRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:480mΩ@3.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9120NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:480mΩ@3.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9120NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:480mΩ@3.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9120NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:480mΩ@3.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9120NTRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:480mΩ@3.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR4105ZPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:管件
输入电容:740pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:24.5mΩ@18A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR9120NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:6.6A
类型:P沟道
导通电阻:480mΩ@3.9A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD14NM50NAG
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:816pF@50V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: