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    行业应用: 汽车
    阈值电压: 5V@250µA
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:1600+
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    onsemi Mosfet场效应管 FQD2P40TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD2P40TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD2P40TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€38W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@25V

    连续漏极电流:1.56A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.5Ω@780mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD3T40P 起订4个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD3T40P 起订4个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD3T40P

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:139pF@100V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3Ω@1A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM 起订3个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD5N60NZTM 起订3个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5N60NZTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHH080N60E-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHH080N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:184W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2557pF@100V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:80mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD4N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD5T40P 起订4个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD5T40P 起订4个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD5T40P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:52W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:273pF@100V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@1A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL33N60DM2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STL33N60DM2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL33N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMC2523P 起订2个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMC2523P 起订2个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC2523P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:42W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:9nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD7P20TM 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD7P20TM 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD7P20TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€55W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:690mΩ@2.85A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB28NM60ND 起订1000个装
    ST Mosfet场效应管 STB28NM60ND 起订1000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB28NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:62.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2090pF@100V

    连续漏极电流:23A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@11.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4115TRLPBF 起订800个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4115TRLPBF 起订800个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS4115TRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5270pF@50V

    连续漏极电流:195A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.1mΩ@62A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD13NM60ND 起订5个装
    ST Mosfet场效应管 STD13NM60ND 起订5个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD13NM60ND

    工作温度:150℃

    功率:109W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:24.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:845pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4229TRLPBF 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS4229TRLPBF 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS4229TRLPBF

    工作温度:-40℃~175℃

    功率:330W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4560pF@25V

    连续漏极电流:45A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@26A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF200S234 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF200S234 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF200S234

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:417W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:162nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6484pF@50V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:16.9mΩ@51A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AOD3T40P 起订4个装
    AOS Mosfet场效应管 AOD3T40P 起订4个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOD3T40P

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:139pF@100V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3Ω@1A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB4N80TM 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB4N80TM 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB4N80TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.13W€130W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6Ω@1.95A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7779L2TRPBF 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7779L2TRPBF 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7779L2TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€125W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6660pF@25V

    连续漏极电流:67A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@40A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB33N25TM 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB33N25TM 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB33N25TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:235W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:48nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2135pF@25V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@16.5A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3N40TM 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD3N40TM 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD3N40TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@1A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4685pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCD4N60TM 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCD4N60TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@25V

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK075N60EF-T1GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK075N60EF-T1GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK075N60EF-T1GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:192W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2954pF@100V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:71mΩ@15A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD13N60DM2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STD13N60DM2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD13N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:110W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:730pF@100V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:365mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD7P20TM 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD7P20TM 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD7P20TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€55W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:690mΩ@2.85A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB12NM50ND 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STB12NM50ND 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB12NM50ND

    工作温度:150℃

    功率:100W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:850pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:380mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4685pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6N50FTM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD6N50FTM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD6N50FTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:89W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:19.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@25V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15Ω@2.75A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB12P20TM 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB12P20TM 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB12P20TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.13W€120W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@25V

    连续漏极电流:11.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:470mΩ@5.75A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD18N20V2TM 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD18N20V2TM 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD18N20V2TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:26nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1080pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD7P20TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD7P20TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD7P20TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€55W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:770pF@25V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:690mΩ@2.85A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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