采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB38N30U
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3340pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@19A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB28N30TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：129mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB28N30TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：129mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB28N30TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：129mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB28N30TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：129mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB28N30TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：129mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB46N30M5
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4240pF@100V
连续漏极电流：53A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@26.5A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB28N30TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：129mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB28N30TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：129mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB46N30M5
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4240pF@100V
连续漏极电流：53A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@26.5A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB28N30TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：129mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB38N30U
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3340pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@19A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB38N30U
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3340pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@19A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB28N30TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：129mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB28N30TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：129mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB28N30TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：129mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB28N30TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：129mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB46N30M5
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4240pF@100V
连续漏极电流：53A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@26.5A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB28N30TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：129mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB38N30U
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3340pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@19A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD7N30TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@2.75A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB28N30TM
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：50nC@10V
连续漏极电流：28A
阈值电压：5V@250µA
功率：250W
类型：N沟道
导通电阻：129mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB38N30U
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3340pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@19A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB38N30U
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3340pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@19A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB38N30U
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3340pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@19A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB38N30U
工作温度：-55℃~150℃
功率：313W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3340pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：120mΩ@19A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB46N30M5
工作温度：150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4240pF@100V
连续漏极电流：53A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@26.5A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB28N30TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：129mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB28N30TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：129mΩ@14A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD7N30TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：610pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：700mΩ@2.75A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
